По запросу
Разрешение: 3840 x 2160 px
Область печати стандартная: 115,2 х 64,8 мм
Область печати расширенная: 226,6 х 127,4 мм
Высота печати: 450 мм
Новинка 2020!
3D принтер по пластику с технологией DLP и высоким разрешением 3840 x 2160 px.
По запросу
Скорость печати (max): 6 мин/см
Область печати Zero (XY): 96 х 54 мм
Область печати Uno (XY): 124,8 х 70,2 мм
Новинка 2019!
3D принтеры по пластику с технологией DLP и скоростью печати до 6 мин/см.
По запросу
Высота печати: 200 мм
Диаметр печати: 200 мм
Лазерный источник: 1 или 2
Толщина слоя (типовая): 20-40 микрон
Новинка 2020!
Профессиональный порошковый 3D принтер по металлу с увеличенным объемом печати.
По запросу
Высота печати: 100 мм
Диаметр печати: 100 мм
Тип лазерного источника: волоконный
Толщина слоя (регулируемая): 20-40 микрон
Машина для лазерного спекания металла MYSINT 100 (3D LMF принтер).
По запросу
Высота печати: 100 мм
Диаметр печати: 100 мм
Тип лазерного источника: волоконный
Толщина слоя (регулируемая): 20-40 микрон
Машина для лазерного спекания металла с двумя источниками лазерного излучения MYSINT 100 Dual Laser (3D LMF принтер).
По запросу
Диаметр лазерного пятна: 55 микрон
Высота печати: 100 мм
Диаметр печати: 100 мм
Тип лазерного источника: волоконный
Толщина слоя (регулируемая): 20-40 микрон
Машина для лазерного спекания металла MYSINT 100 RM (3D LMF принтер) с расширенным списком печатаемых материалов.
По запросу
Диаметр лазерного пятна: 2x55 микрон
Высота печати: 100 мм
Диаметр печати: 100 мм
Тип лазерного источника: волоконный
Толщина слоя (регулируемая): 20-40 микрон
Машина для лазерного спекания металла с двумя источниками лазерного излучения и расширенным списком печатаемых материалов MYSINT 100 Dual Laser (3D LMF принтер).
По запросу
Высота печати: 400 мм
Диаметр печати: 300 мм
Тип лазерного источника: волоконный
Толщина слоя (регулируемая): 30-60 микрон
Высокопроизводительная машина для лазерного спекания металла MYSINT 300 (3D LMF принтер).
По запросу
Компактная, недорогая универсальная установка для удаления фоторезиста, которая обрабатывает пластины размером 100-300 мм.
По запросу
Минимальная ширина линии: 10 нм
Ускоряющее напряжение: 50 кВ, 30 кВ
Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи.
По запросу
Минимальная ширина линии: 7 нм
Ускоряющее напряжение: 90 кВ, 110 кВ или 130 кВ
Самое высокое ускоряющее напряжение на рынке - 130 кВ!
По запросу
Перемещения микроскопа (мм): от 50*50 до 200*200
Станции двойного зондирования (DSP) SEMIPROBE на базе Probe System for Life (PS4L) - серия ручных и полуавтоматических систем для зондового тестирования кристаллов микросхем или полупроводниковых пластин.
По запросу
Gemini — недорогая, универсальная система. Обрабатывает пластины размером 100-300 мм. Установка разработана специально для использования на производстве.
По запросу
Технологический процесс : HDCVD / PECVD
Minilock ALD — установка для осаждения тонких пленок в тепловом и плазменном режимах
По запросу
Minilock Orion III — установка для плазмохимического осаждения тонких пленок из газовой фазы с вакуумным шлюзом (ПХО, PECVD) лабораторного и промышленного назначения
По запросу
Небольшая установка плазмохимического травления c вакуумным шлюзом промышленного назначения. Установка может использоваться для любых процессов плазмохимического травления с использованием фторных газов и кислорода.
По запросу
Oracle III — кластерная система плазмохимического травления и осаждения пленок, диэлектриков (RIE; RIE+ICP; PECVD) промышленного назначения
По запросу
Orion III PECVD — установка для осаждения тонких плёнок из газовой фазы в вакууме. Предназначена для лабораторного применения.
По запросу
Лабораторная установка плазмохимического травления. Поддерживает процессы: RIE; RIE+ICP.
Технологическое оборудование
Trion Technology
Компания Trion — производитель систем плазмохимического травления и осаждения. Основана в 1989 году. Компанией поставлено и установлено более 500 систем по всему миру. Исследовательская деятельность компании направлена на полную проверку оборудования Trion в реальных условиях производства, обеспечение конечного решения проблемы пользователя, разработку новых технологических процессов для производства.
Picosun
Компания Picosun разрабатывает и производит промышленные и лабораторные установки для нанесения тонких пленок. Оборудование Picosun обеспечивает высочайшее качество процессов, удовлетворяя самым жестким требованиям по производительности и надежности. Для научно-исследовательских организаций оборудование Picosun предлагает многофункциональные, модульные установки, масштабируемые до нужд производства. Надежные, эффективные, компактные и простые в использовании инструменты PICOSUN™ для проведения АСО были выбраны для ежедневной работы во всех типах приложений микро- и нанотехнологий ведущими промышленными предприятиями и научно-исследовательскими организациями во всём мире.
Nissene Technology Group
Компания Nisene Technology Group специализируется на разработке и производстве автоматических систем, предназначенных для декапсулирования микросхем с целью проведения анализа отказов.Опыт компании в этой области составляет более 30 с лишним лет. За это время Nisene разработала и запатентовала различные по сложности системы: от простых и несложных моделей серии JetEtch через серию 350 до продвинутых моделей серии JetEtch Pro. Компания стремится постоянно повышать уровень стандартов выпускаемой продукции. Новейшая модель JetEtch Pro
является кульминацией проводимой компанией R&D разработок и внедрения в производство предложений клиентов, работающих на данном оборудовании.
Plassys
Plassys - французская компания, основанная в 1987 году. Основная деятельность компании заключается в разработке и производстве оборудования для травления и осаждения тонких пленок. Серия продуктов PLASSYS применяется для термического, электронно-лучевого и магнетронного напыления, выращивание алмазов CVD методом, осаждения с ионным ассистированием, а также для ионного травления. Технология PLASSYS для тонких пленок применяется в полупроводниках, сверхпроводниках, сенсорах, для нанесения трибологических (защитных) и оптических слоев.