По запросу
Установка лазерной декапсуляции RETINA разработана для обнаружения перемаркировки электронно-компонентной базы (ЭКБ). Будет полезна для лабораторий, занимающихся обнаружением поддельной ЭКБ. Лазерная установка RETINA™ позволяет избирательно удалять слои компаунда за несколько секунд с точностью до микрона.
По запросу
Разрешение моторизованного столика: 0,5 мкм
Источник света: 365 нм, 20 Вт
Литограф FLS5-22 Rafanco с функцией выравнивания фотошаблона - удобный и экономичный инструмент для мелкосерийного производства и лабораторий.
По запросу
Источник света: 365 нм, 20 Вт
Разрешение выравнивания: менее 0,25 мкм
Максимальный размер пластины: 100 мм
Литограф FLS6-22 Rafanco с функцией выравнивания фотошаблона - удобный и экономичный инструмент для мелкосерийного производства и лабораторий.
По запросу
Мощность лазера (расширение): 10 Ватт (12 Ватт / 5 Ватт УФ)
Компактная система кросс-секционирования пластиковых корпусов, вскрытия металлических крышек.
По запросу
Мощность лазера: 40 Ватт
Компактная модель для лабораторий анализа отказов полупроводников и судебно-медицинской экспертизы.
Особенность - лазерная декапсуляция корпусов защитным гелевым слоем.
По запросу
Разработан для лабораторий анализа отказов полупроводников и судебно-медицинской экспертизы. FALIT® использует запатентованный лазерный процесс с множеством лазерных конфигураций и длин волн для получения чётких и точных образцов для каждого типа анализа отказов полупроводников и криминалистического применения.
По запросу
Мощность: до 200 Вт
Работа на воздухе: нет
Размер камеры: диаметр 150 мм, длина 280 мм
Система плазменной обработки HPT-200 Henniker представляет собой настольную систему плазменной обработки поверхности, управляемую микропроцессором, которая идеально подходит для активации поверхности, очистки и модификации широкого спектра материалов, включая полимеры, металлы, стекло и керамику.
По запросу
Мощность: до 250 Вт
Работа на воздухе: нет
Размер камеры: диаметр 200 мм, длина 320 мм
Система плазменной обработки HPT-300 Henniker представляет собой настольную установку плазменной обработки поверхности, управляемую микропроцессором, которая идеально подходит для активации поверхности, очистки и модификации широкого спектра материалов, включая полимеры, металлы, стекло и керамику.
По запросу
Мощность: до 300 Вт
Работа на воздухе: да
Размер камеры: диаметр 250 мм, длина 320 мм
Система плазменной обработки HPT-500 Henniker представляет собой настольную установку плазменной обработки поверхности с микропроцессорным управлением. Подходит для активации поверхности, очистки и модификации широкого спектра материалов, включая полимеры, металлы, стекло и керамику.
По запросу
Мощность: до 100 Вт
Работа на воздухе: нет
Размер камеры: диаметр 100 мм, длина 280 мм
HPT-100 - это настольная система плазменной обработки поверхности в вакууме с компьютерным управлением.
Идеально подходит для плазменной очистки, активации и модификации поверхности различной природы: металлов, полимерных материалов, стекла, керамики и пр.
По запросу
НОВИНКА!!! Установка для вскрытия микросхем при помощи химической декапсуляции. Благодаря уникальному набору функций JetEtch TotalPROTECT может травить самые разнообразные интегральные схемы любой сложности, сохраняя при этом целостность чувствительных элементов.
По запросу
По запросу
Новейшая система плазменной декапсуляции PlasmaEtch Nisene отвечает передовым мировым стандартам в области анализа отказов, позволяя работать с небольшими по размеру структурами, содержащими чувствительные к внешнему воздействию компоненты.
По запросу
Установки для осаждение алмазоподобных углеродных пленок (DLC), промежуточных слоев и формирования покрытий методами напыления и испарения на нескольких подложках одновременно.
По запросу
Габариты установки: 450 х 500 х 370 мм (В х Ш х Г)
Предельный вакуум: менее 50 мТорр
Вес в упаковке: 42 кг
Настольная установка подготовки образцов модели DSCR представляет собой компактную систему нанесения покрытий, включающую как напыление, так и устройство для нанесения углеродного покрытия. Идеально подходит для работы со сканирующим электронным микроскопом (SEM).
По запросу
Материал подложек: Si, стекло, кварц, SiC, GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
Температура обработки: 50 – 300°C
Прекурсоры: Жидкие, твердые, газообразные, озон
По запросу
Температура обработки: 50 – 400°C
Технологические процессы: Al2O3, ZnO, TiO2
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон; до 10 источников с 6 отдельными вводами
Установка ALD P-1000 Picosun предназначена для одиночной или пакетной обработки различных 3D объектов. Система проста в эксплуатации, так как имеет ручной механизм загрузки подложек в камеру.
Разработана специально для нанесения тонких пленок в промышленных масштабах на трехмерные образцы:
- изделия оптики,
- чеканные изделия (например, монеты)
- ювелирные изделия,
- изделия медицинского назначения (например медицинские импланты).
По запросу
Температура обработки: 50 – 500°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон;; до 8 источников с 4 отдельными вводами.
P-300B Picosun — установка атомно-слоевого осаждения для производства MEMS-устройств, таких как печатающие головки, датчики и микрофоны, и для нанесения покрытий на различные 3D-объекты, такие как детали механического оборудования, стеклянные или металлические листы, монеты, детали часов и ювелирные изделия, линзы, оптика, медицинские приборы, импланты.
По запросу
Температура обработки: 50 – 450°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Загрузка подложки: Полуавтоматическая загрузка с помощью вертикальных загрузчиков (один или два) Дополнительный обогрев загрузочного шлюза
Прекурсоры: Жидкостные, твердые вещества, газ, озон; До 8 источников с 4 отдельными вводами
Установка ALD P-300BV Picosun - разработка для производства светодиодов, дискретных устройств и различных устройств MEMS, например печатающих головок, датчиков и микрофонов.
По запросу
Температура обработки: от 50 до 500°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Прекурсоры: До 12 источников с 6 отдельными вводами