Метод: ионно-лучевое послойное травление Размеры образца (кросс-секционирование): от 3*3*0,7 мм до 10*10*4,0 мм Размеры образца (планарная обработка): диам. 32 мм*В 25 мм
Настольная прецизионная система подготовки высококачественных образцов для СЭМ для широкого спектра применений.
Метод: ионно-лучевое послойное травление Размеры образца (кросс-секционирование): от 3*3*0,7 мм до 10*10*4,0 мм Размеры образца (планарная обработка): диам. 50 мм*В 25 мм
Настольная прецизионная система подготовки высококачественных образцов для СЭМ.
Область обработки 50 мм.
Три ионных источника.
Метод: ионно-лучевое послойное травление Размер пластины: до 300 мм Размер ионного пучка: до 2 мм
Автоматизированная система ионно-лучевого послойного травления на полупроводниковых пластинах (до 300 мм) для подготовки образцов к CD-SEM (Critical dimensions SEM, контроль критических размеров в сканирующем электронном микросокопе).
Метод: ионное утонение Размер ионного пучка: менее 1 мкм Диапазон напряжений: от 50 эВ до 2 кВ
Прецизионная система подготовки образцов для ПЭМ методом ионного утонения с диаметром пучка менее 1 мкм, низкоэнергетическим источником ионов инертного газа и колонной СЭМ.
