пн-пт  10:00 - 19:00
г. Москва
+7 (495) 204 13 17
г. Санкт-Петербург
+7 (812) 509 20 91

1063 WaferMill® TEM Fischione - система послойного травления микросхем

Производитель:
Fischione Instruments, Inc.
Гарантия:
12 месяцев

Автоматизированная система ионно-лучевого послойного травления на полупроводниковых пластинах (до 300 мм) для подготовки образцов к CD-SEM (Critical dimensions SEM, контроль критических размеров в сканирующем электронном микросокопе).

Задать вопрос
Цена с НДС:
По запросу
Доставка по всей России бесплатно
Подробнее о доставке здесь
  • Детальное описание
  • Тех.характеристики
  • Оплата и доставка

Основные сведения о системе послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione

Cистема подготовки образцов 1063 WaferMill® Fischione полностью автоматизирована и поддерживает все этапы подготовки полупроводниковых пластин к CD-SEM. 1063 WaferMill® осуществляет последовательное послойное удаление (сверху-вниз) нескольких предварительно выбранных областей на полноразмерной полупроводниковой пластине. 

Система поддерживает следующие процессы пробоподготовки:

  • травление выбранной области на полноразмерных 300-мм полупроводниковых пластинах;

  • последовательное сверху вниз послойное удаление слоев;

  • обработка многосоставных компонент слоев и структур полупроводниковых устройств;

  • использования в нескольких областях и задачах производства полупроводниковых устройств:

  – исследования и разработки;

  – контроль технологических процессов;

  – увеличение выхода годной продукции;

  – анализ отказов полупроводниковых устройств.

Преимущества системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione

  • Поддержка обработки полупроводниковых пластин до 300 мм включительно

  • Значительно сокращает время обработки участков пластины и максимизирует объем данных, получаемых с одной пластины

  • Параметры процесса ионного-лучевого травления могут быть настроены для удаления нескольких слоев

  • Эффективная работа автоматического манипулятора, осуществляющего перемещение пластин в рабочую камеру и обратно, для более быстрой обработки

  • Удаляет загрязнения при подготовке образцов к CD-SEM

Подготовка образцов к CD-SEM

Критические размеры (CD, Critical dimensions) микроскопических структурных элементов полупроводниковых пластин измеряются средствами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ, англ. SEM) в процессе производства полупроводников устройств. При традиционной подготовке образцов для CD-SEM отдельные кристаллы вырезают из пластины, а затем каждый образец готовят с помощью традиционной системы ионно-лучевого травления. 

Различия в подготовке образцов для CD-SEM: традиционный подход vs WaferMilling  

Традиционный подход

WaferMillTM

Одиночные кристаллы вырезаются из полупроводниковой пластины

Нисходящая (сверху вниз) обработка нескольких предварительно выбранных областей на цельной полупроводниковой пластине

Каждый образец подготавливается с помощью традиционной системы ионно-лучевого  травления, поочередно (по одному за подход)

Отсутствие необходимости манипулирования образцами – система полностью автоматизирована


С помощью используемых в WaferMill  технических решений вы можете осуществить послойное удаление множества предварительно выбранных областей на полноразмерной полупроводниковой пластине от верхних до нижних слоев образца. Весь процесс полностью автоматизирован; нет необходимости в ручных манипуляциях с пластинами. WaferMill удовлетворяет метрологическим требованиям, необходимым для достижения требуемой точности измерений, и в полной мере обеспечивают подготовку образцов к CD-SEM.

Особенности системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione

  • Локальная точечная полировка на цельной полупроводниковой пластине

  • Высокая производительность, полностью автоматизированная система

  • Регулировка положения и глубины слоя

  • Совместимость с FOUP технологией (унифицированный модуль с фронтальной загрузкой)

  • УФ-очистка полупроводниковых пластин после обработки

Состав системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione

  • Фронтальные стыковочные модули (ЕFEM)

Модули EFEM обеспечивают получение от унифицированного модуля фронтальной загрузки (FOUP) выбранной пластины и обеспечивают перенос (трансфер) указанной пластины в камеру установки. EFEM содержит следующие технологические узлы: 

•  унифицированный модуль с фронтальной загрузкой 300-мм полупроводниковых пластин (FOUP), вмещающим до 25 пластин;
• 4-осевой роботизированный горизонтальный подложкодержатель с пассивным захватом для загрузки-выгрузки кремниевых пластин в камеру предварительной откачки;
• модуль предварительного выравнивания, предназначенный для ориентации полупроводниковой пластины в соответствии с требованиями ионной обработки заданных участков/

  • Камера предварительной откачки

Камера предварительной откачки взаимодействует с EFEM через 300-мм затвор. Создание требуемого уровня вакуума в камере осуществляется с помощью турбомолекулярного насоса (ТМН).

  • УФ-излучение

Камера предварительной откачки содержит источник ультрафиолетового (УФ) излучения с двумя длинами волн (253,7 нм и 184,9 нм), предназначенный для очистки пластины перед ее перезагрузкой в FOUP после завершения операций ионной обработки.

  • Загрузочный шлюз

Перемещение пластины из камеры предварительной откачки в процессную (рабочую) камеру осуществляется через второй 300-мм затвор.

  • Процессная (рабочая) камера

В рабочей камере пластина фиксируется электростатическим держателем, который обеспечивает равномерность обработки, устраняя любой изгиб пластины. Держатель, перемещаясь согласно линейным координатам XY и углу наклона θ, позволяет получить доступ к любой точке на пластине. Модули ионного источника, содержащего револьверную головку (турель) с 3-мя источниками ионов аргона и модуль качения (120±10°), обеспечивают равномерность удаления материала . Вращение турели позволяет избежать эффекта неравномерного травления. Турбомолекулярный насос поддерживает необходимое давление в камере.

Технические характеристики системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione

Варианты использования

Независимое индивидуальное применение установки;

Применение в составе производственной линии.

Стыковочные модули EFEM

 

(EFEM, Equipment front-end module  - наружные модули фронтальной загрузки образцов)

Установка включает следующие промышленные модули компании Brooks Automation:

·         унифицированный модуль с фронтальной загрузкой 300-мм полупроводниковых пластин (FOUP), вмещающим до 25 пластин;

·         4-осевой роботизированный горизонтальный подложкодержатель с пассивным захватом для загрузки-выгрузки кремниевых пластин ;

·         модуль предварительного выравнивания, который ориентирует полупроводниковую пластину в соответствии с требованиями CD-SEM;

·         модуль управления.

Камера предварительной откачки

300-мм затвор VAT между блоком EFEM-модулей и загрузочным шлюзом

УФ-излучение

Источник ультрафиолетового (УФ) света с двумя длинами волн (253,7 нм и 184,9 нм), установленный в камере предварительной откачки

Загрузочный шлюз

300-мм затвор VAT между камерой предварительной откачки и рабочей камерой;

датчики присутствия пластины, информирующие о наличии пластины в загрузочном шлюзе.

Вакуумная система

Два встроенных турбомолекулярных насоса (ТМН):

·         1 насос в камере предварительной откачки;

·         1 насос в рабочей камере установки;

Безмасляный диафрагменный насос, для задания начального давления ТМН;

Система контроля давления с помощью вакуумметров.

Пневматическая система

Шлюзовая и рабочая камеры:

·         процессный газ: инертный газ (аргон) сверх-высокой чистоты (не хуже 99.999%) давлением 20-30 psi;

·         контрольный газ: чистый, сухой азот давлением 60±5 psi;

·         газ вентилирования шлюзовой камеры: чистый, сухой воздух (CDA) давлением 20-30 psi;

·         автоматическая система контроля потока газов: 3 регулятора массового расхода (MFC) (по одному на каждый ионный источник).

Рабочая камера

Механизм линейных перемещений пластины в направлении X и Y с погрешностью не более 5 мкм;

Электростатический держатель, обеспечивающий фиксацию пластины на месте для обеспечения равномерной плоскости обработки, за счет исключения изгиба образца;

Датчики присутствия пластины, информирующие о наличии пластины в рабочей камере установки;

Интегрированное отображение пластины на основе файлов KLARF (KLA Results Files – специализированное описание, используемое на производстве);

Модуль ионного источника: 3 ионных источника, расположенные относительно друг друга под углом 120°, относительно горизонтальной плоскости источники установлены под углом 22,5°:

·  мощность ионных источников: регулируемая от 4 до 10 кэВ;

·  ток ионного пучка: 10мА/см2;

·  размер пучка: 2 мм;

·   точное целеуказание позволяет подвести пластину к любой точке для обработки;

Вращение и наклон:

·  угол качения в горизонтальной плоскости ±175°;

·  угол наклона: ±5° с регулируемым шагом наклона от 0.1 до 2°;

·  скорость качения: 1 rpm (об/мин)

Автоматическое прекращение процесса

по значению таймера;

по результатам анализа изображения; обработка прекращается, когда заданные значения диаметра достигнуты

Пользовательский интерфейс

Компьютер-ориентированный интерфейс:

·         доступ к модулям EFEM и параметрам камер установки;

·         контроль параметров обработки пластин;

·         индикация выполняемых операций: внешний  индикаторный сигнальный светофор.

Оптическая система

Оптическая система для наблюдения за процессом ионной обработки и захвата изображений:

Видимое поле:

–        15 мм (низкое увеличение);

–        1,4 мм (высокое увеличение);

Моторизованное увеличение

Моторизованный фокус

Требования к электропитанию модулей EFEM

переменное напряжение 200-240В, 50/60Гц, однофазное (L1, N, PE);

максимальный ток потребления при полной нагрузке: 20А;

постоянная нагрузка: 5-14А, в зависимости от конфигурации;

категория оборудования по перенапряжению: II

система оснащена блоком компенсации реактивной мощности, снабженном 10,000 A автоматическими выключателями для защиты распределительных сетей; номинальный ток короткого замыкания 10,000 А;

вытяжная система: <40 кПа (7 psi); порт подключения: 8 мм быстросъемное соединение;

Энергопотребление

Переменное напряжение 200-240В, 50/60Гц, 5,2 кВт

Гарантия

1 год

Метод: ионно-лучевое послойное травление
Размер пластины: до 300 мм
Размер ионного пучка: до 2 мм
Похожие товары
Обратите внимание на похожие модели и аналоги, как альтернативу вашему выбору.