Minilock ALD Trion - установка для осаждения тонких пленок в тепловом и плазменном режимах

Описание установки для осаждения пленок Minilock ALD

Система Minilock ALD была разработана, чтобы предоставить исследователям возможность выращивать пленки атомно-слоевогоо осаждения в тепловом и плазменном режимах. Система стандартно сконфигурирована для пластин до 200 мм, также доступен вариант до 300 мм. Атомно-слоевое осаждение (АСО) (англ. Atomic Layer Deposition (ALD)) — это технология осаждения тонких плёнок, в котором происходят последовательные химические реакции, в результате которых осаждается равномерная тонкая плёнка материала на подложке из разных материалов. Этот процесс саморегулирующийся – это означает, что количество осаждённого материала в каждом цикле реакции является постоянным.

Особенности Minilock ALD

Особенность Minilock ALD в том, что разработчики добились улучшения характеристик усовершенствованием системы добавив в нее плазменный модуль. Ниже представлены две таблицы Менделеева, где указаны материалы, которые можно выращивать в обычных системах ALD (рис.1) и в системе Minilock ALD (рис.2). Как видно на рисунках, теперь исследователям доступно больше материалов для новых изысканий и развития технологической базы.

Рисунок 1

Рисунок 2

Основные модули установки Minilock ALD

Интерфейс

Интерфейс с сенсорным экраном в любое время предоставляет оператору полную информацию о процессе, а интуитивно понятный программный интерфейс значительно упрощает работу, так как в нем заложена логиская последовательность для постановки процессов.

Реактор

Особенности реактора: катод и анод изготовлены из отдельных алюминиевых блоков, что снижает вероятность утечек вакуума. Нагревательные стержни встроены в камеру, температуру которой можно регулировать в диапазоне 30–120 ° C для повышения воспроизводимости процесса и уменьшения отложений на боковых стенках.

Сосуды с прекурсорами

На крышке камеры можно установить до восьми сосудов с прекурсорами. Температуру каждого прекурсора можно независимо контролировать с помощью программного обеспечения. Кроме того, в источнике ICP или MW имеются входные отверстия для газа, а также имеется дополнительная точка входа в камеру для использования с газовым кольцом, соединенным с ситемой для подачи газа.

Источник плазмы

Источник индуктивно связанной плазмы был разработан для обеспечения быстрого воздействия плазмой при очень малых мощностях. Для расширенных экспериментальных исследований имеется возможность установить дополнительный источник микроволновой плазмы (может быть установлен как часть системы вместо ICP).

Газовый шкаф

В газовом шкафу используются самозакрывающиеся дверцы и предусмотрена продувка азотом для токсичных или коррозионных газов, а также там можно разместить более крупные прекурсоры и материалы, требующие барботирования. Существует возможность выращивания более толстых пленок с помощью HDCVD или PECVD путем добавления TEOS, DES или силана.

Вакуумный шлюз

Вакуумный шлюз представляет собой отдельную камеру для загрузки образцов, который позволяет камере реактора оставаться под вакуумом. Загрузка образцов осуществляется роботизированной рукой с механизмом подбора и установки с прямым приводом, который обеспечивает высокую надежность и точность размещения образца внутри камеры.

*У системы имеются различные опции и возможности расширения исследовательского функционала. Более подробная информация предоставляется по запросу.