По запросу
Минимальная ширина линии: 10 нм
Ускоряющее напряжение: 50 кВ, 30 кВ
Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи.
По запросу
Минимальная ширина линии: 7 нм
Ускоряющее напряжение: 90 кВ, 110 кВ или 130 кВ
Самое высокое ускоряющее напряжение на рынке - 130 кВ!
По запросу
Установки Plassys для синтеза кубитовых устройств. Разработки компании PLASSYS соответствуют уровню стремительно развивающейся технологии создания кубитовых объектов и представлены серией систем, специально разработанных для формирования джозефсоновских переходов.
По запросу
Количество каналов: 2
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
2-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 12.5 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 4
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
4-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 12.5 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 2
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
2-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 20 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 4
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
4-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 20 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 2
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
Высокостабильный термостатированный 2-х канальный генератор сигналов.
По запросу
Количество каналов: 4
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
Высокостабильный термостатированный 4-х канальный генератор сигналов.
5 501 299 c
Количество каналов: 2
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
Высокостабильный термостатированный 2-х канальный генератор сигналов с рабочим диапазоном частот 300кГц - 40 ГГц.
6 073 689 c
Количество каналов: 3
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
Высокостабильный термостатированный 3-х канальный генератор сигналов с рабочим диапазоном частот 300 кГц - 40 ГГц.
7 933 859 c
Количество каналов: 4
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
Высокостабильный термостатированный 4-х канальный генератор сигналов с рабочим диапазоном частот 300 кГц - 40 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 2
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
2-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 6.5 ГГц.
По запросу
Количество каналов: 4
Разрешение: 0,001 Гц
Диапазон мощности: -20 до +25 дБм / -80 до +25 дБм (опция PE4)
Скорость переключения: 25 мкс
4-х канальный генератор c высокой мощностью, сверхбыстрой перестройкой частоты, низким уровнем фазового шума и диапазоном частот 300 кГц - 6.5 ГГц.
По запросу
Установки ALD R-200 Standard PICOSUN предназначены для проведения научно-исследовательских работ в различных сферах (компоненты на интегральных микросхемах, МЭМС-устройства, дисплеи, светодиоды, лазеры и 3D-объекты, такие как объективы, линзы, ювелирные украшения, монеты и медицинские импланты).
По запросу
Температура обработки: до 400 °C
Покрытие: одно/двухстороннее
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон
Установка ALD Sprinter PICOSUN предназначена для крупносерийного ALD-производства 300 мм полупроводниковых пластин (например, компонентов памяти, транзисторов, конденсаторов), дисплеев и компонентов Интернета вещей.
По запросу
MEB 550 S Plassys позволяет проводить осаждение слоёв без повреждений поверхности и обратную литографию. Система имеет 6-киловаттный источник электронов, шлюзовую камера и держатель для пластин диаметром 10 см и менее.
Система электронно-лучевого напыления MEB 550 S предназначена для исследований и разработок. Данное оборудование имеет отличную репутацию во всем мире.