Декапсулятор CERDIP от Nisene Technology Group открывает герметично закрытые керамические DIP корпуса для анализа отказов и выявления контрафактной продукции.
Установка лазерной декапсуляции RETINA разработана для
обнаружения перемаркировки электронно-компонентной базы (ЭКБ). Будет полезна для лабораторий, занимающихся обнаружением поддельной ЭКБ.
Лазерная установка RETINA™
позволяет избирательно удалять слои
компаунда за несколько секунд с точностью до микрона.
Площадь удаления: 33*33 мм Мощность лазера: 40 Ватт
Компактная модель для лабораторий анализа отказов полупроводников и судебно-медицинской экспертизы.
Особенность - лазерная декапсуляция корпусов защитным гелевым слоем.
Разработан для лабораторий анализа отказов полупроводников и
судебно-медицинской экспертизы. FALIT® использует запатентованный
лазерный процесс с множеством лазерных конфигураций и длин волн для
получения чётких и точных образцов для каждого типа анализа отказов
полупроводников и криминалистического применения.
НОВИНКА!!! Установка для вскрытия микросхем при помощи химической декапсуляции. Благодаря уникальному набору функций JetEtch TotalPROTECT может травить самые разнообразные интегральные схемы любой сложности, сохраняя при этом целостность чувствительных элементов.
ASAP-1® IPS – система декапсуляции, позволяющая с суб-микронной точностью утонять образец. Устройство предназначено для утончения и полировки небольших выбранных областей в электронных интегральных схемах и кристаллических матрицах. При этом верхняя часть корпуса микросхемы стачивается с помощью шлифовки до желаемой толщины. Обработка с лицевой и обратной стороны образца.
Система предназначена для работы с различными типами материалов.
Новейшая система плазменной декапсуляции PlasmaEtch Nisene отвечает передовым мировым стандартам в области анализа отказов, позволяя работать с небольшими по размеру структурами, содержащими чувствительные к внешнему воздействию компоненты.
FA Cube™ разработан для лабораторий анализа отказов полупроводников и судебно-медицинской экспертизы. Компактная установка лазерной декапсуляции полупроводников обеспечивает чистую и точную лазерную декапсуляцию с надёжными результатами.
Установка позволяет избирательно удалять слои компаунда за несколько секунд с точностью до микрона без использования опасных химических реагентов. Установка может полностью декапсулировать большинство полупроводников для выявления следов кристалла.
Длина волны лазерного излучения : 1064 нм Электропитание: 230 VAC/ 50/60 Hz/ 20 А/ Одна фаза Пневматическая система: Сухой чистый сжатый воздух 80 psi (5,5 бар)/ 5 cfm (140 л/мин) Условия хранения: от -20 до +50 °С <80% Условия работы: от -13 до +43 °С <80%
Система
предназначена для удаления компаунда чипа, посредством
распыления материала лазерным излучением без повреждения самой кремниевой
микросхемы.
