
По запросу
Энергия ионов : менее 12 эВ
Вакуумная система: давление 1 x 10-7 мбар
Рабочие газы: 25% кислорода и 75% аргона
Эффективная очистка образцов для электронной микроскопии от органического углерода

По запросу
Размер ионного пучка: до 1 мкм
Переменное напряжение : 50 эВ - 2 кВ
Прецизионная система подготовки образцов для ПЭМ методом ионного утонения с диаметром пучка до 1 мкм.

По запросу
Кол-во ионных источников: 2
Диапазон рабочих энергий : от 100 эВ до 10,0 кэВ
Диапазон регулируемых углов полировки: от – 15° до + 10°
Настольная прецизионная система подготовки высококачественных образцов для ПЭМ из широкого спектра материалов.

По запросу
Размер пластины: до 300 мм
Размер ионного пучка: до 2 мм
Автоматизированная система ионно-лучевого послойного травления на полупроводниковых пластинах (до 300 мм) для подготовки образцов к CD-SEM (Critical dimensions SEM, контроль критических размеров в сканирующем электронном микросокопе).

По запросу
Осциллирующее поле : 13,56 МГц
Энергия ионов : менее 12 эВ
Вакуумная система: давление 1 x 10-6 мбар
Рабочие газы: 25% кислорода и 75% аргона
Эффективная очистка образцов, держателей, решеток и крупных структур перед применением средств электронной микроскопии и других исследовательских методов.

По запросу
Размер ионного пучка: менее 1 мкм
Диапазон напряжений: от 50 эВ до 2 кВ
Прецизионная система подготовки образцов для ПЭМ методом ионного утонения с диаметром пучка менее 1 мкм, низкоэнергетическим источником ионов инертного газа и колонной СЭМ.

По запросу
Доп.оборудоание: модель 120
Доп.оборудоание: модель 140
Автоматическая двухсторонняя электролитическая полировка или химическое травление образцов для ПЭМ.

По запросу
Блок для полного автоматического управления питанием системы автоматической двухсторонней электролитической полировки образцов для ПЭМ.

По запросу
Размеры (мм): 25 x 64 x 28
Устройство перфорирования позволяет создавать высококачественные образцы дисковой формы из тонкой металлической фольги путем механического воздействия.

По запросу
Цифровой блок для управления питанием системы автоматической двухсторонней электролитической полировки образцов для ПЭМ.

По запросу
Диаметр образца (мм): до 18
Механическое утонение образца для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Значительно сокращает время, затраченное на процесс финальной подготовки с помощью систем ионно-лучевой полировки.

По запросу
Утонение: от 10 микрон до 10 мм
Быстрое перфорирование образцов для ПЭМ из твердых или хрупких материалов без механического или термического повреждения. Создание образцов дисковой, цилиндрической и прямоугольной формы.

По запросу
Диаметр итогового образца: до 3 мм
Полноценный набор для выравнивания поверхностей и выполнения точного поперечного сечения для ПЭМ. Производит образцы с постоянной толщиной клеевого слоя

По запросу
Управление скоростью шлифовки: Автоматическое
Контроль усилия шлифования: Микрометр
Совместимость: модель 160
Простой в использовании, современный механический инструмент утонения, предназначенный для выполнения высококачественной подготовки образцов к электронной микроскопии.

По запросу
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): ±80°
Поле обзора: до 1,6 мм при 70°
Большие углы наклона образца и широкий диапазон перемещений для работы при комнатной температуре.

По запросу
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): ±80°
Поле обзора: до 1,6 мм при 70°
Материал наконечника: Бериллий
Оптимальное решение для получения трехмерной информации о структуре и элементном составе образца.

По запросу
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): до ±90°
Поле обзора: не ограничено
Наклон до 90° при расстоянии до полюсного наконечника менее 3 мм.

По запросу
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): до ±70°
Поле обзора: до 950 мкм при угле наклона 70°
Прецизионное вращение в одной плоскости внутри микроскопа.

По запросу
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): до ±70°
Поле обзора: до 950 мкм при угле наклона 70°
Прецизионное планарное вращение внутри микроскопа.

По запросу
Размер образца (картридж 1,0 мм): образец цилиндр/конус
Разрешение: 0,34 нм
Дрейф: < 1,5 нм/минуту
Угол наклона (max): Непрерывное и пошаговое (3 шага по 120°) вращение на угол 360°
Инновационный держатель образцов, имеющих форму стержня или конуса.
В просвечивающей электронной микроскопии электроны ускоряются до 100 кэВ или выше (до 1 МэВ), фокусируются на тонкий образец (толщиной менее 200 нм) с помощью конденсорной линзовой системы и проходят через образец либо отклоняясь, либо не отклоняясь. Основными преимуществами ПЭМ являются высокое увеличение, в пределах от 50 до 106, и ее способность получать как изображение, так и дифракционную картину с одного и того же образца