По запросу
TCP0150 — это высокопроизводительный и удобный токовый пробник для постоянного и переменного тока до 150А, предназначенный для
использования при непосредственном подключении к интерфейсу пробников TekVPI™.
По запросу
Пробник; постоянный и переменный ток, постоянный ток при 15 МГц; 150 А постоянного тока (требуется усилитель TCPA300)
По запросу
Чувствительность к большим токам — пост. ток: 50 А, ср. кв.: 35,4 А, пик: 50 А, чувствительность к малым токам — пост. ток: 25 А, ср. кв.: 17,7 А, пик: 50 А
По запросу
Чувствительность к большим токам — пост. ток: 30 А, ср. кв.: 21,2 А, пик: 50 А, чувствительность к малым токам — пост. ток: 5 А, ср. кв.: 3,5 А, пик: 50 А
По запросу
Токовый пробник AC/DC, 500 А, полоса от 0 до 2 МГц, пиковый ток до 750 А, сертификат отслеживаемой калибровки.
По запросу
Уcилитель токовых пробников иcпользуетcя cовмеcтно c токовыми пробниками (AC/DC): TCP312, TCP305, TCP303, обеcпечивая полоcу пропуcкания DC- 100 МГц
По запросу
Уcилитель токовых пробников иcпользуетcя cовмеcтно c токовым пробником TCP404XL обеcпечивая полоcу пропуcкания DC- 50 МГц.
По запросу
Материал подложек: Si, стекло, кварц, SiC, GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
Температура обработки: 50 – 300°C
Прекурсоры: Жидкие, твердые, газообразные, озон
По запросу
Температура обработки: 50 – 400°C
Технологические процессы: Al2O3, ZnO, TiO2
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон; до 10 источников с 6 отдельными вводами
Установка ALD P-1000 Picosun предназначена для одиночной или пакетной обработки различных 3D объектов. Система проста в эксплуатации, так как имеет ручной механизм загрузки подложек в камеру.
Разработана специально для нанесения тонких пленок в промышленных масштабах на трехмерные образцы:
- изделия оптики,
- чеканные изделия (например, монеты)
- ювелирные изделия,
- изделия медицинского назначения (например медицинские импланты).
По запросу
Температура обработки: 50 – 500°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон;; до 8 источников с 4 отдельными вводами.
P-300B Picosun — установка атомно-слоевого осаждения для производства MEMS-устройств, таких как печатающие головки, датчики и микрофоны, и для нанесения покрытий на различные 3D-объекты, такие как детали механического оборудования, стеклянные или металлические листы, монеты, детали часов и ювелирные изделия, линзы, оптика, медицинские приборы, импланты.
По запросу
Температура обработки: 50 – 450°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Загрузка подложки: Полуавтоматическая загрузка с помощью вертикальных загрузчиков (один или два) Дополнительный обогрев загрузочного шлюза
Прекурсоры: Жидкостные, твердые вещества, газ, озон; До 8 источников с 4 отдельными вводами
Установка ALD P-300BV Picosun - разработка для производства светодиодов, дискретных устройств и различных устройств MEMS, например печатающих головок, датчиков и микрофонов.
По запросу
Температура обработки: от 50 до 500°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, AlN, TiN и металлы
Прекурсоры: До 12 источников с 6 отдельными вводами
По запросу
Установки ALD R-200 Standard PICOSUN предназначены для проведения научно-исследовательских работ в различных сферах (компоненты на интегральных микросхемах, МЭМС-устройства, дисплеи, светодиоды, лазеры и 3D-объекты, такие как объективы, линзы, ювелирные украшения, монеты и медицинские импланты).
По запросу
Температура обработки: до 400 °C
Покрытие: одно/двухстороннее
Прекурсоры: жидкостные, твердые вещества, газ, озон
Установка ALD Sprinter PICOSUN предназначена для крупносерийного ALD-производства 300 мм полупроводниковых пластин (например, компонентов памяти, транзисторов, конденсаторов), дисплеев и компонентов Интернета вещей.
По запросу
FA Cube™ разработан для лабораторий анализа отказов полупроводников и судебно-медицинской экспертизы. Компактная установка лазерной декапсуляции полупроводников обеспечивает чистую и точную лазерную декапсуляцию с надёжными результатами.
Установка позволяет избирательно удалять слои компаунда за несколько секунд с точностью до микрона без использования опасных химических реагентов. Установка может полностью декапсулировать большинство полупроводников для выявления следов кристалла.
По запросу
Мощность лазера (расширение): 10 Ватт (12 Ватт/ 5 Ватт УФ)
Компактная напольная система для лазерной декапсуляции и кросс-секционирования.
По запросу
Мощность лазера (расширение): 10 Ватт (12 Ватт/ 5 Ватт УФ)
Напольная система для лазерной декапсуляции широкого спектра и кросс-секционирования.
По запросу
Мощность лазера (расширение): 10 Ватт (12 Ватт/ 5 Ватт УФ / 30 Ватт ИК)
Напольная система для лазерной декапсуляции широкого спектра и кросс-секционирования с тремя лазерными головками.
По запросу
Мощность: до 300 Вт
Работа на воздухе: да
Кол-во источников плазмы: 1
Системы плазменной обработки поверхности на воздухе.
Установка идеально подходят для активации поверхности, очистки и
модификации широкого спектра материалов: полимеров, металлов, стекла,
керамики и др.