Атомно-слоевое осаждение (Atomic layer deposition – ALD) – это тонкопленочная технология, позволяющая производить совершенно новые и высокотехнологичные продукты. ALD является мощным инструментом для производства наноразмерных систем, где требуется создавать совершенно беспористые, равномерные покрытия с прецизионной точностью по толщине на подложках сложной формы или на структурах с высоким аспектным соотношением.
Пленки, созданные при помощи этого метода, обладают высокой однородностью. Способность технологии ALD выращивать конформные пленки на структурах с высоким аспектным соотношением наиболее актуально для создания микро электромеханических систем (MEMS).
Покрытия, нанесенные при помощи метода ALD, повышают надежность MEMS, обеспечивают защиту поверхности, сводят к минимуму механический износ. ALD-покрытия используются также в качестве изолятора, способствуя рассеиванию заряда и улучшая функциональные возможности поверхности МЭМС устройств.
Другое применение технологии ALD - это создание новых структур. Так в последнее время ALD активно используется для фабрикации НЭМС (наноэлектромеханические системы).
Подробнее о методе ALD>>
Пленки, созданные при помощи этого метода, обладают высокой однородностью. Способность технологии ALD выращивать конформные пленки на структурах с высоким аспектным соотношением наиболее актуально для создания микро электромеханических систем (MEMS).
Покрытия, нанесенные при помощи метода ALD, повышают надежность MEMS, обеспечивают защиту поверхности, сводят к минимуму механический износ. ALD-покрытия используются также в качестве изолятора, способствуя рассеиванию заряда и улучшая функциональные возможности поверхности МЭМС устройств.
Другое применение технологии ALD - это создание новых структур. Так в последнее время ALD активно используется для фабрикации НЭМС (наноэлектромеханические системы).
Подробнее о методе ALD>>