Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
8 (800) 301-13-17
+7 (495) 204-13-17

Неразрушающий контроль внутренних дефектов микросхемы

Как исследовать внутренние дефекты без вскрытия микросхемы?

В помощь технологу

В предыдущем выпуске новостной рассылки мы рассказали о методах декапсуляции - предварительном этапе анализа отказов, основанном на разрушающих методах контроля.
В сегодняшней статье речь пойдет о неразрушающих физических методах анализа отказа.

Методы анализа отказов

Анализ отказов полупроводниковых устройств необходим для выяснения причины отказа и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной связи с этапами производства и проектирования. В связи с рыночными требованиями более высокой надежности и разработкой устройств с более высокой степенью интеграции и большими размерами чипа для анализа отказов требуются самые новые технологии. Отказы могут быть вызваны дефектами на разном уровне, начиная с визуально различимых трещин, заканчивая нарушениями на атомарном уровне, поэтому для исследований используются самые различные методы, а именно:

В сегодняшней статье мы поговорим о неразрушающих физических методах, применяемых для анализа отказов.

Методы неразрушающего контроля для исследования внутренних дефектов микросхем

Методики, используемые для контроля внутреннего состояния устройства без вскрытия или удаления корпуса, включают:

Рентгеноскопия

Принцип работы рентгеноскопии основан на том, что проникновение рентгеновских лучей меняется в зависимости от типа материала и его толщины (то есть, чем меньше атомный вес, тем больше проникновение). Различия создают рентгеновское изображение. Этот метод эффективен для того, чтобы обнаружить частицы, поломку или перекручивание соединительных проводников, а также пустоты или отслаивание формовочной смолы в месте крепления кристалла в пластмассовом герметичном корпусе (рис. 1).

анализ отказов при помощи X-Rayанализ отказов при помощи X-Ray










Рис. 1. Рентгеновское изображение внутренней части пластмассового запечатанного корпуса

Сканирующая акустическая микроскопия

Принцип работы сканирующих акустических микроскопов основана на том, что УЗ-волны, прошедшие, отраженные или рассеянные отдельными участками образца имеют различные характеристики (амплитуда, фаза, и др.) в зависимости от локальных вязкоупругих свойств материала. Эти различия позволяют методами визуализации звуковых полей получать акустическое изображения на экране дисплея. Если есть слой воздуха на границе, то интенсивности и фазы отраженной волны сильно отличаются. Этот тест показывает место и состояние любых пустот, отслаивание и трещины в корпусе (рис. 2).

Изображение в акустическом микроскопе

Рис. 2. Изображение корпуса в сканирующем акустическом микроскопе


Если Вам необходимо получить более подробную информацию о неразрушающих методах исследования микросхем, обращайтесь в нашу компанию. Наши специалисты расскажут подробно о методах анализа отказов и подберут для Вас соответствующее оборудование. Присылайте свои вопросы на электронную почту: info@sernia.ru.

comments powered by HyperComments