пн-пт  10:00 - 19:00
г. Москва
+7 (495) 204 13 17
г. Санкт-Петербург
+7 (812) 509 20 91
Москва
Санкт-Петербург
По всей России
Москва
Санкт-Петербург
По всей России

PHI Quantes – cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

photo
Система PHI Quantes XPS/HAXPES

Система сканирующей электронной спектроскопии XPS/HAXPES PHI Quantes

Physical Electronics (PHI) – ведущий мировой производитель высокотехнологичных решений для анализа поверхностей (ожэ-микроскопия, технологии TOF-SIMS, XPS и HAXPES, ESCA и др.) представляет уникальную систему на основе комбинации двух технологий: XPS+HAXPES

Quantes - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (технология XPS/HAXPES, ESCA, РФЭС) от компании PHI. Система уникальная, единственная в своем роде, основана на работе высокопроизводительного источника рентгеновского излучения высокой энергии (HAXPES) и полностью автоматизированна. 

Система PHI Quantes представляет собой сканирующий рентгеновский фотоэлектронный спектрометр, который основывается на работе монохроматического источника рентгеновского излучения высокой энергии (HAXPES) (Cr Kα), плюс сочетание с обычным монохроматическим источником мягкого рентгеновского излучения XPS (Al Kα).

PHI Quantes_main view_1.jpg

Ключевой функционал системы PHI Quantes

  • Уникальное сочетание XPS + HAXPES
  • Источник HAXPES лабораторного уровня, не синхротронный!
  • Понятная СЭМ-подобная технология сканирующего микрозонда XPS / HAXPES
  • Высокопроизводительная спектроскопия больших и малых площадей
  • Неразрушающий анализ профиля глубины тонкой пленки
  • Анализ профиля глубины распыления
  • Запатентованная двухлучевая нейтрализация заряда
  • Интегрированная автоматизация с высокой пропускной способностью

Уникальная особенность – сочетание XPS с HAXPES

    XPS_HAXPES.png

  • Глубина профилирования при использовании источника HAXPES (Cr) в 3 раза больше, чем при использовании только источника XPS (Al). HAXPES обеспечивает больше возможностей для исследования толстых пленочных структур и глубоких границ раздела, а также минимизации эффектов поверхностного загрязнения и ионно-индуцированного химического повреждения во время глубинного профилирования.
  • Комбинация источников рентгеновского излучения XPS и HAXPES обеспечивает сфокусированные рентгеновские пучки, позволяющие проводить сканирование поверхности образца в точке, по линии или в заданной области со 100% достоверностью.
  • Сбор спектров из одного и того же образца с использованием источников рентгеновского излучения как Al Kα, так и Cr Kα обеспечивает возможность сдвигать Оже-переходы и четко выделять перекрывающиеся фотоэлектронные линии;
  • HAXPES гораздо менее чувствителен к загрязнению поверхности, чем XPS, что снижает необходимость очистки образца от случайных загрязнений перед анализом;
  • Информация о химическом строении с поверхностных (XPS), так и с приповерхностных (HAXPES) глубин может быть получена без ионно-лучевого распыления.

Преимущества работы на PHI Quantes

Высокоэффективная спектроскопия больших и малых областей

Диаметр рентгеновского пучка настраивается от менее, чем 10 мкм для Al Kα и 14 мкм для Cr Kα до 200 мкм. Такое решение позволяет в сочетании с конструкцией анализатора с открытой линзой максимизировать эффективность анализа образца по глубине, при этом доза рентгеновского излучения при исследовании минимизируется.

Оба источника рентгеновского излучения ориентированы на одну и ту же точку фокусировки анализатора энергии электронов, что позволяет проводить анализ одной и той же площади с использованием XPS и HAXPES, обеспечивая, таким образом, получение информации о химическом составе образца на разной глубине образца.

Особенностью уникальной системы Quantes является возможность высокопроизводительного анализа больших площадей. Анализ большой площади достигается с использованием режима, аналогичного вращающемуся аноду, обеспечивающего высокую чувствительность и высокое энергетическое разрешение для областей анализа шириной до 1,4 мм.

Простота и удобство эксплуатации

Работа с Quantes также проста, как работа со сканирующим электронным микроскопом! Процесс эксплуатации системы при исследовании неоднородных материалов во многом схож с  работой на СЭМ.

Вторичные электронные изображения, формируемые посредством сканирования образца рентгеновским пучком (SXI-изображения) от источников Al или Cr, позволяют быстро обнаруживать и анализировать точки и выбранные на образце области. SXI-изображения могут быть получены в течение нескольких секунд для Al и 1-2 минут при использовании источника Cr.

Использование одной и той же оптики для сбора SXI-изображений и фотоэлектронного анализа гарантирует, что спектроскопические данные собираются именно в выбранной области интереса. Эта уникальная возможность облегчает быстрое и надежное обнаружение небольших объектов для анализа.

Демонстрационное видео о работе системы PHI Quantes

Посмотрите видео, рассказывающее подробно об устройстве и технических возможностях системы сканирующей электронной спектроскопии XPS/HAXPES PHI Quantes.

Купить или заказать систему для анализа поверхностей PHI

Вы можете приобрести или получить консультацию по системе Quantes PHI в компании «Серния Инжиниринг». Пришлите нам свою заявку на e-mail info@sernia.ru или позвоните по тел.: +7 495 204 13 17. Наши специалисты свяжутся с Вами для обсуждения деталей. 
PHI_footer.png