VersaProbe III - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

PHI VersaProbe III - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (технология XPS, ESCA, РФЭС). Данная система анализа поверхностей имеет улучшенную производительность и ряд дополнительных технических возможностей для полноценного изучения современных материалов.  VersaProbe III  является единственным прибором РФС, в котором осуществляется сканирование рентгеновским лучом, подобно работе SEM (СЭМ), что обеспечивает простую и комфортную работу с прибором. 

В архитектуре системы доступен целый ряд источников излучения, ионных пушек, а также вариантов обработки и переноса образца для исследований и обеспечения требований к сохранению характеристик образца при анализе. Испытательная камера VersaProbe III сконструирована для размещения нескольких источников фотонов, электронов и ионов, которые фокусируются в единой точке на образце и управляются с помощью пользовательского интерфейса SmartSoft.

Основные сведения

Система анализа поверхностей PHI VersaProbe III обеспечивает формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским излучением (SXI-изображений) при сканировании образца сфокусированным рентгеновским пучком диаметром менее 10 мкм (подобно тому, как это происходит в SEM при сканировании электронным пучком). Подобно работе с SEM/EDS, SXI-изображения на PHI VersaProbe III используются для определения местоположения объектов интереса и выбора в реальном времени областей и точек для анализа.

Изображения используются для навигации по областям интереса и выбора участков для анализа в режиме реального времени. Навигация по SXI-изображениям обеспечивает полную уверенность в обнаружении даже небольших объектов интереса, избегая при анализе областей с загрязнением и неоднородностями. SXI-изображения, характеризуясь фотоэлектронным контрастом, различным для разных материалов, часто позволяют обнаружить топографические особенности поверхности, которые не видны оптически.

Ключевые возможности

• Многоточечное профилирование по глубине (технология сканирования PHI позволяет определять точки анализа на SXI-изображении и получать профили распределения концентраций химических элементов по глубине в множестве точек в одном кратере, образуемом в процессе ионно-лучевого травления. Для образцов, для которых площадь распыления должна быть сведена к минимуму, это уникальный инструмент для изучения включений дефектных участков и анализа смежных областей.);

• Оптимальная конфигурация для профилирование тонких пленок (сфокусированный рентгеновский пучок, высокочувствительный спектрометр, высокоэффективная аргонная пушка, система двухлучевой нейтрализации заряда, компуцентрическое вращение Залара и передовые алгоритмы обработки данных обеспечивают высокую производительность XPS (РФЭС)-профилирования по глубине. Стандартная моноатомная ионная пушка системы обеспечивает генерацию потока ионов Ar с энергией от 5 эВ до 5 кэВ и идеально подходит для профилирования по глубине неорганических материалов.);

• Комплексное исследование структуры электронных зон (ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) – анализ валентной зоны и низкоэнергетическая инверсионная фотоэмиссия (LEIPS) - анализ зоны проводимости);
  

• Оже-электронная спектроскопия (AES);

• Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов (REELS);

• Профилирование по глубине органических материалов с источником кластерных ионов аргона (опция);

• Профилирование по глубине смешанной матрицы с источником кластерных ионов С60 (опция).

Базовый функционал

• Сканирование сфокусированным монохроматическим рентгеновским микропучком
• Формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским пучком (SXI)
• Система двухлучевой нейтрализации заряда
• Детектирование данных по 128 каналам
• Визуализация химического состояния
• Многоточечное профилирование по глубине в одном кратере распыления
• Регулируемая ионная пушка моноатомного Ar
• Компуцентрическое вращение Залара
• Углозависимый XPS
• Пятиосевой автоматизированный держатель образцов
• Поддержка образцов диаметром от 25 до 60 мм

Опционально