Автоматизированная система ионно-лучевого послойного травления на полупроводниковых пластинах (до 300 мм) для подготовки образцов к CD-SEM (Critical dimensions SEM, контроль критических размеров в сканирующем электронном микросокопе).
Основные сведения о системе послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione
Cистема подготовки образцов 1063 WaferMill® Fischione полностью автоматизирована и поддерживает все этапы подготовки полупроводниковых пластин к CD-SEM. 1063 WaferMill® осуществляет последовательное послойное удаление (сверху-вниз) нескольких предварительно выбранных областей на полноразмерной полупроводниковой пластине.
Система поддерживает следующие процессы пробоподготовки:
-
травление выбранной области на полноразмерных 300-мм полупроводниковых пластинах;
-
последовательное сверху вниз послойное удаление слоев;
-
обработка многосоставных компонент слоев и структур полупроводниковых устройств;
-
использования в нескольких областях и задачах производства полупроводниковых устройств:
– исследования и разработки;
– контроль технологических процессов;
– увеличение выхода годной продукции;
– анализ отказов полупроводниковых устройств.
Преимущества системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione
-
Поддержка обработки полупроводниковых пластин до 300 мм включительно
-
Значительно сокращает время обработки участков пластины и максимизирует объем данных, получаемых с одной пластины
-
Параметры процесса ионного-лучевого травления могут быть настроены для удаления нескольких слоев
-
Эффективная работа автоматического манипулятора, осуществляющего перемещение пластин в рабочую камеру и обратно, для более быстрой обработки
-
Удаляет загрязнения при подготовке образцов к CD-SEM
Подготовка образцов к CD-SEM
Критические размеры (CD, Critical dimensions) микроскопических структурных элементов полупроводниковых пластин измеряются средствами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ, англ. SEM) в процессе производства полупроводников устройств. При традиционной подготовке образцов для CD-SEM отдельные кристаллы вырезают из пластины, а затем каждый образец готовят с помощью традиционной системы ионно-лучевого травления.
Различия в подготовке образцов для CD-SEM: традиционный подход vs WaferMilling
|
Традиционный подход |
WaferMillTM |
|
Одиночные кристаллы вырезаются из полупроводниковой пластины |
Нисходящая (сверху вниз) обработка нескольких предварительно выбранных областей на цельной полупроводниковой пластине |
|
Каждый образец подготавливается с помощью традиционной системы ионно-лучевого травления, поочередно (по одному за подход) |
Отсутствие необходимости манипулирования образцами – система полностью автоматизирована |
С помощью используемых в WaferMill технических решений вы можете осуществить послойное удаление множества предварительно выбранных областей на полноразмерной полупроводниковой пластине от верхних до нижних слоев образца. Весь процесс полностью автоматизирован; нет необходимости в ручных манипуляциях с пластинами. WaferMill удовлетворяет метрологическим требованиям, необходимым для достижения требуемой точности измерений, и в полной мере обеспечивают подготовку образцов к CD-SEM.
Особенности системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione
-
Локальная точечная полировка на цельной полупроводниковой пластине
-
Высокая производительность, полностью автоматизированная система
-
Регулировка положения и глубины слоя
-
Совместимость с FOUP технологией (унифицированный модуль с фронтальной загрузкой)
-
УФ-очистка полупроводниковых пластин после обработки
Состав системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione
- Фронтальные стыковочные модули (ЕFEM)
Модули EFEM обеспечивают получение от унифицированного модуля фронтальной загрузки (FOUP) выбранной пластины и обеспечивают перенос (трансфер) указанной пластины в камеру установки. EFEM содержит следующие технологические узлы:
• унифицированный модуль с фронтальной загрузкой 300-мм полупроводниковых пластин (FOUP), вмещающим до 25 пластин;
• 4-осевой роботизированный горизонтальный подложкодержатель с пассивным захватом для загрузки-выгрузки кремниевых пластин в камеру предварительной откачки;
• модуль предварительного выравнивания, предназначенный для ориентации полупроводниковой пластины в соответствии с требованиями ионной обработки заданных участков/
- Камера предварительной откачки
Камера предварительной откачки взаимодействует с EFEM через 300-мм затвор. Создание требуемого уровня вакуума в камере осуществляется с помощью турбомолекулярного насоса (ТМН).
- УФ-излучение
Камера предварительной откачки содержит источник ультрафиолетового (УФ) излучения с двумя длинами волн (253,7 нм и 184,9 нм), предназначенный для очистки пластины перед ее перезагрузкой в FOUP после завершения операций ионной обработки.
- Загрузочный шлюз
Перемещение пластины из камеры предварительной откачки в процессную (рабочую) камеру осуществляется через второй 300-мм затвор.
- Процессная (рабочая) камера
В рабочей камере пластина фиксируется электростатическим держателем, который обеспечивает равномерность обработки, устраняя любой изгиб пластины. Держатель, перемещаясь согласно линейным координатам XY и углу наклона θ, позволяет получить доступ к любой точке на пластине. Модули ионного источника, содержащего револьверную головку (турель) с 3-мя источниками ионов аргона и модуль качения (120±10°), обеспечивают равномерность удаления материала . Вращение турели позволяет избежать эффекта неравномерного травления. Турбомолекулярный насос поддерживает необходимое давление в камере.
Технические характеристики системы послойного травления микросхем 1063 WaferMill Fischione
|
Варианты использования |
Независимое индивидуальное применение установки; Применение в составе производственной линии. |
|
Стыковочные модули EFEM
(EFEM, Equipment front-end module - наружные модули фронтальной загрузки образцов) |
Установка включает следующие промышленные модули компании Brooks Automation: · унифицированный модуль с фронтальной загрузкой 300-мм полупроводниковых пластин (FOUP), вмещающим до 25 пластин; · 4-осевой роботизированный горизонтальный подложкодержатель с пассивным захватом для загрузки-выгрузки кремниевых пластин ; · модуль предварительного выравнивания, который ориентирует полупроводниковую пластину в соответствии с требованиями CD-SEM; · модуль управления. |
|
Камера предварительной откачки |
300-мм затвор VAT между блоком EFEM-модулей и загрузочным шлюзом |
|
УФ-излучение |
Источник ультрафиолетового (УФ) света с двумя длинами волн (253,7 нм и 184,9 нм), установленный в камере предварительной откачки |
|
Загрузочный шлюз |
300-мм затвор VAT между камерой предварительной откачки и рабочей камерой; датчики присутствия пластины, информирующие о наличии пластины в загрузочном шлюзе. |
|
Вакуумная система |
Два встроенных турбомолекулярных насоса (ТМН): · 1 насос в камере предварительной откачки; · 1 насос в рабочей камере установки; Безмасляный диафрагменный насос, для задания начального давления ТМН; Система контроля давления с помощью вакуумметров. |
|
Пневматическая система |
Шлюзовая и рабочая камеры: · процессный газ: инертный газ (аргон) сверх-высокой чистоты (не хуже 99.999%) давлением 20-30 psi; · контрольный газ: чистый, сухой азот давлением 60±5 psi; · газ вентилирования шлюзовой камеры: чистый, сухой воздух (CDA) давлением 20-30 psi; · автоматическая система контроля потока газов: 3 регулятора массового расхода (MFC) (по одному на каждый ионный источник). |
|
Рабочая камера |
Механизм линейных перемещений пластины в направлении X и Y с погрешностью не более 5 мкм; Электростатический держатель, обеспечивающий фиксацию пластины на месте для обеспечения равномерной плоскости обработки, за счет исключения изгиба образца; Датчики присутствия пластины, информирующие о наличии пластины в рабочей камере установки; Интегрированное отображение пластины на основе файлов KLARF (KLA Results Files – специализированное описание, используемое на производстве); Модуль ионного источника: 3 ионных источника, расположенные относительно друг друга под углом 120°, относительно горизонтальной плоскости источники установлены под углом 22,5°: · мощность ионных источников: регулируемая от 4 до 10 кэВ; · ток ионного пучка: 10мА/см2; · размер пучка: 2 мм; · точное целеуказание позволяет подвести пластину к любой точке для обработки; Вращение и наклон: · угол качения в горизонтальной плоскости ±175°; · угол наклона: ±5° с регулируемым шагом наклона от 0.1 до 2°; · скорость качения: 1 rpm (об/мин) |
|
Автоматическое прекращение процесса |
по значению таймера; по результатам анализа изображения; обработка прекращается, когда заданные значения диаметра достигнуты |
|
Пользовательский интерфейс |
Компьютер-ориентированный интерфейс: · доступ к модулям EFEM и параметрам камер установки; · контроль параметров обработки пластин; · индикация выполняемых операций: внешний индикаторный сигнальный светофор. |
|
Оптическая система |
Оптическая система для наблюдения за процессом ионной обработки и захвата изображений: Видимое поле: – 15 мм (низкое увеличение); – 1,4 мм (высокое увеличение); Моторизованное увеличение Моторизованный фокус |
|
Требования к электропитанию модулей EFEM |
переменное напряжение 200-240В, 50/60Гц, однофазное (L1, N, PE); максимальный ток потребления при полной нагрузке: 20А; постоянная нагрузка: 5-14А, в зависимости от конфигурации; категория оборудования по перенапряжению: II система оснащена блоком компенсации реактивной мощности, снабженном 10,000 A автоматическими выключателями для защиты распределительных сетей; номинальный ток короткого замыкания 10,000 А; вытяжная система: <40 кПа (7 psi); порт подключения: 8 мм быстросъемное соединение; |
|
Энергопотребление |
Переменное напряжение 200-240В, 50/60Гц, 5,2 кВт |
|
Гарантия |
1 год |
| Метод: | ионно-лучевое послойное травление |
| Размер пластины: | до 300 мм |
| Размер ионного пучка: | до 2 мм |
Заказ товаров
Сделать заказ товара можно несколькими способами:
- Отправьте запрос на сайте через кнопку «ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС НА КП» или «ЗАДАТЬ ВОПРОС»;
- Отправьте запрос на e-mail: info@sernia.ru с указанием конкретного товара или технических характеристик возможного прибора;
- Позвоните по телефону +7 (495) 204-13-17 или 8 (800) 301-13-17 (бесплатный для регионов). Секретарь соединит Вас с менеджером, который поможет сделать заказ.
Оплата товара
Оплата товара производится только по безналичному расчету. Цены в счете указываются с НДС. Условия оплаты: 100% предоплата или 50/50% (предварительно обговариваются с клиентом, зависят от условий поставки товаров).
Доставка товара
Сроки поставки товара обговариваются на этапе заказа товара. Доставка мелкогабаритного товара в пределах Москвы осуществляется собственной курьерской службой. Сроки доставки товаров из наличия - 2-3 дня после оплаты товара.
Доставка товара в регионы осуществляется службой MAJOR EXRESS. Отследить доставку товара можно по номеру накладной на сайте компании.
