Helios G4 HX для микроэлектроники
Разработан для лабораторий анализа отказов в микроэлектронике
Новая двулучевая система Helios G4 HX является продолжением наиболее успешной модели Helios 460HP, зарекомендовавшей себя на рынке как надёжный инструмент для подготовки образцов для ПЭМ.
Новый прибор не остался в стороне от инноваций и использует продвинутый алгоритм эффективной подготовки образцов для просвечивающей микроскопии.
Современный высокоточный манипулятор EasyLift EX, новый столик QuickFlip и программное обеспечение для автоматической подготовки образцов iFast позволяют лабораториям анализа отказов по всему миру получать быстрый и качественный результат.
Новый внутрилинзовый детектор электронов даёт возможность получения изображений высокого контраста на предельно малых ускоряющих напряжениях, что важно в процессе утонения образца для последующего изучения методами просвечивающей микроскопии.
Helios G4 HX – наиболее совершенная система для получения изображений сверхвысокого разрешения и высокопрецизионной пробоподготовки для ПЭМ
Система Helios G4 HX сочетает в себе лучший в мире сканирующий электронный микроскоп (на базе электронной колонны Elstar c монохроматором) и наиболее продвинутую ионную колонну Phoenix.
В сочетании с наноманипулятором EasyLift EX и специализированным программным обеспечением iFast Helios G4 становится мощной платформой для проведения аналитических работ и высокоточной пробоподготовки для просвечивающей электронной микроскопии.
Удобный и простой интерфейс программного обеспечения микроскопа даёт возможность добиться качественного и быстрого результата даже начинающим операторам прибора.
Helios G4 HX обеспечивает непревзойденную точность и воспроизводимость результатов: система автоматической навигации по образцу FEI Cell Navigator и высокоточный наноманипулятор упрощают процесс позиционирования и настройки на объект интереса.
Получение изображений поперечных сечений (кросс-секций) образцов
Инновационная электронная колонна Elstar с монохроматором UC позволяет получать изображения сверхвысокого разрешения даже на низких ускоряющих напряжениях: 0.6 нм при работе на оптимальном рабочем отрезке.
При работе на сверхнизких ускоряющих напряжениях чувствительные образцы (диэлектрики, фоторезисты) не повреждаются.
ПОСМОТРЕТЬ ДРУГИЕ МИКРОСКОПЫ FEI ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ>>
УЗНАТЬ СТОИМОСТЬ>>