пн-пт  10:00 - 19:00

Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии

photo
Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу Создание лаборатории электронно-ионной микроскопии на базе физического факультета мгу

Лаборатория электронно-ионной микроскопии для исследования различного рода материалов  и  биологических образцов

При активном участии компании Серния на физическом факультете МГУ была создана универсальная  лаборатория электронно-ионной микроскопии для исследования различного рода материалов  и  биологических образцов.

Трудность проекта состояла в том, что необходимо было создать такую рабочую станцию, которая была бы универсальной: позволяла проводить исследования объектов живой и неживой природы, модифицировать поверхность образца, проводить динамические эксперименты.

Отличным решением для этих целей явилась комбинация электронной и ионно-лучевой технологии, использование  EDX и EBSD анализа, современных систем газовой инжекции, использование наноманипуляторов, криосистем, что позволило, в конечном итоге, создать целую рабочую станцию на базе микроскопа.

Состав лаборатории:

Многофункциональная рабочая станция на базе электронно-ионного микроскопа Quanta 3D FEG FEI

Наиболее эффективный двулучевой прибор Quanta 3D FEG компании FEI используется для выполнения кросс-секций, визуализации, анализа и исследования многослойных структур, а также образцов, которые могут быть влажными или газящими. Система поддерживает технологию сфокусированного ионного пучка (FIB/ФИП), работает на автоэмиссионном катоде (с полевой эмиссией FEG) и имеет возможность исследования образцов в режиме «естественной среды» (ESEM). Если не требуется использование ионного луча, микроскоп Quanta SEM обеспечивает исследование образцов в режиме «естественной среды» в тех случаях, когда оптический микроскоп не может соответствовать требованиям визуализации. Посмотреть электронно-ионные микроскопы FEI>>

Манипулятор OmniProbe 300

В состав рабочей станции входит манипулятор OmniProbe 300, который предназначен для проведения механических операций внутри камеры микроскопа.

Преимущества манипулятора:

  • возможность замены иглы-зонда внутри камеры без ее разгерметизации;
  • обеспечивает непрерывность перемещения нанообъектов на большие расстояния,
  • линейное перемещение из одной точки в другую в любом направлении;
  • имеет автоматическую систему управления. 

Система газовой инжекции OmniGis

Рабочая станция укомплектована системой газовой инжекции OmniGis, при помощи которой осуществляется контролируемая доставка нескольких металлоорганических соединений и газов-носителей. Системой газовой инжекции занимает всего лишь один порт микроскопа и использует один инжектор для всех газов.

Применение:

  • напыление предохранительного слоя;
  • модификация интегральных схем; 
  • электронно-лучевая литография; 
  • напыление слоя толщиной в один атом;
  • доставка самоорганизующихся монослоев внутрь микроскопа in situ. 

Криотрансферсистема PP2000T Cryo-SEM (Quorum Technologies)

Криотрансферсистема PP2000T Cryo-SEM (Quorum Technologies) - cистема для быстрой заморозки биологических образцов до температуры жидкого азота без разрушения внутренней структуры образца с последующим исследованием образца в камере электронного микроскопа. Загрузка образца происходит через криовакуумный шлюз.

Применение: Позволяет исследовать нативные образцы, сохраняя первоначальную структуру материала.

Детекторы для EDS, EBSD-анализа

Специальные детекторы для EDS, EBSD-анализа позволяют определять элементный состав материала, начиная от бора, как по всей поверхности образца, так и в точке сканирования.

Element Weight % Atomic % Net Int. Net Int. Error
C K 11.4 30.42 105.83 0.02
N K 1.49 3.42 14.25 0.09
O K 4.62 9.26 115.85 0.02
CuL 2.57 1.3 88.67 0.05
GeL 1.7 0.75 66.84 0.06
SiK 39.01 44.51 3343.9 0
W M 23.94 4.17 718.6 0.02
SbL 2.24 0.59 35.29 0.25
TeL 7.47 1.88 109.9 0.1
TiK 5.54 3.71 238.64 0.03