пн-пт  10:00 - 19:00
г. Москва
+7 (495) 204 13 17
г. Санкт-Петербург
+7 (812) 509 20 91
Москва
Санкт-Петербург
По всей России
Москва
Санкт-Петербург
По всей России

VersaProbe III - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

Производитель:
Physical Electronics (PHI) Flag

Передовая система с улучшенной производительностью и дополнительными техническими возможностями, важными для изучения современных материалов (технология XPS, ESCA, РФЭС)  

Задать вопрос
Цена с НДС:
По запросу
Доставка по всей России бесплатно
Подробнее о доставке здесь
  • Детальное описание
  • Тех.характеристики
  • Документация
  • Оплата и доставка

PHI VersaProbe III - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (технология XPS, ESCA, РФЭС). Данная система анализа поверхностей имеет улучшенную производительность и ряд дополнительных технических возможностей для полноценного изучения современных материалов.  VersaProbe III  является единственным прибором РФС, в котором осуществляется сканирование рентгеновским лучом, подобно работе SEM (СЭМ), что обеспечивает простую и комфортную работу с прибором. 

В архитектуре системы доступен целый ряд источников излучения, ионных пушек, а также вариантов обработки и переноса образца для исследований и обеспечения требований к сохранению характеристик образца при анализе. Испытательная камера VersaProbe III сконструирована для размещения нескольких источников фотонов, электронов и ионов, которые фокусируются в единой точке на образце и управляются с помощью пользовательского интерфейса SmartSoft.

Основные сведения

Система анализа поверхностей PHI VersaProbe III обеспечивает формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским излучением (SXI-изображений) при сканировании образца сфокусированным рентгеновским пучком диаметром менее 10 мкм (подобно тому, как это происходит в SEM при сканировании электронным пучком). Подобно работе с SEM/EDS, SXI-изображения на PHI VersaProbe III используются для определения местоположения объектов интереса и выбора в реальном времени областей и точек для анализа.

Изображения используются для навигации по областям интереса и выбора участков для анализа в режиме реального времени. Навигация по SXI-изображениям обеспечивает полную уверенность в обнаружении даже небольших объектов интереса, избегая при анализе областей с загрязнением и неоднородностями. SXI-изображения, характеризуясь фотоэлектронным контрастом, различным для разных материалов, часто позволяют обнаружить топографические особенности поверхности, которые не видны оптически.

Ключевые возможности

  • Многоточечное профилирование по глубине (технология сканирования PHI позволяет определять точки анализа на SXI-изображении и получать профили распределения концентраций химических элементов по глубине в множестве точек в одном кратере, образуемом в процессе ионно-лучевого травления. Для образцов, для которых площадь распыления должна быть сведена к минимуму, это уникальный инструмент для изучения включений дефектных участков и анализа смежных областей.);

  • Оптимальная конфигурация для профилирование тонких пленок (сфокусированный рентгеновский пучок, высокочувствительный спектрометр, высокоэффективная аргонная пушка, система двухлучевой нейтрализации заряда, компуцентрическое вращение Залара и передовые алгоритмы обработки данных обеспечивают высокую производительность XPS (РФЭС)-профилирования по глубине. Стандартная моноатомная ионная пушка системы обеспечивает генерацию потока ионов Ar с энергией от 5 эВ до 5 кэВ и идеально подходит для профилирования по глубине неорганических материалов.);

  • Комплексное исследование структуры электронных зон (ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) – анализ валентной зоны и низкоэнергетическая инверсионная фотоэмиссия (LEIPS) - анализ зоны проводимости);
  • Оже-электронная спектроскопия (AES);

  • Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов (REELS);

  • Профилирование по глубине органических материалов с источником кластерных ионов аргона (опция);

  • Профилирование по глубине смешанной матрицы с источником кластерных ионов С60 (опция).

Базовый функционал

  • Сканирование сфокусированным монохроматическим рентгеновским микропучком
  • Формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским пучком (SXI)
  • Система двухлучевой нейтрализации заряда
  • Детектирование данных по 128 каналам
  • Визуализация химического состояния
  • Многоточечное профилирование по глубине в одном кратере распыления
  • Регулируемая ионная пушка моноатомного Ar
  • Компуцентрическое вращение Залара
  • Углозависимый XPS
  • Пятиосевой автоматизированный держатель образцов
  • Поддержка образцов диаметром от 25 до 60 мм

Опционально

• Низкоэнергетическая инверсионная фотоэмиссия (LIPS)
• Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов (REELS)
• Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS)
• Держатель для электрохимической полировки
• Ионная пушка С60 на 20 кВ
• Газовый ионный кластерный пучок (GCIB)
• Сканирующая электронная oже-спектроскопия (AES)
• Двойной анод, ахроматический источник рентгеновского излучения
• Аналитическая камера с нагревом и охлаждением
• Изготовление камер для пробоподготовки по требованиям заказчика
• Ёмкость для переноса образцов с функцией контроля условий окружающей среды

Диаметр образца: от 25 до 60 мм
Детектирование данных: по 128 каналам
Ионная пушка С60 : 20 кВ
Диаметр рентгеновского пучка: менее 10 мкм