пн-пт  10:00 - 19:00
г. Москва
+7 (495) 204 13 17
г. Санкт-Петербург
+7 (812) 509 20 91

Установка для выращивания алмазов MW-PACVD (химическое газофазное осаждение) Plassys

Производитель:
Plassys

Установка MV-PACVD SSDR 150 Plassys представляет собой микроволновый плазменный реактор, предназначенный для синтеза алмазной пленки и драгоценных камней. Используя плазму высокой плотности, реактор позволяет получать алмазные пленки высокой чистоты с высокой скоростью роста.

Задать вопрос
Цена с НДС:
По запросу
Доставка по всей России бесплатно
Подробнее о доставке здесь
  • Детальное описание
  • Тех.характеристики
  • Документация
  • Оплата и доставка

Установка MW-PACVD Plassys SSDR 150 для синтеза алмазной пленки

Установка MW-PACVD (химическое газофазное осаждение) SSDR 150 представляет собой микроволновый плазменный реактор CVD (MW-PACVD), предназначенный для синтеза алмазной пленки и драгоценных камней. Этот реактор является результатом сотрудничества между компанией PLASSYS и лабораторией инженерии материалов и высоких давлений Национального научно-исследовательского центра Франции (LIMHP CNRS, Villetaneuse).

Используя плазму высокой плотности, реактор позволяет получать алмазные пленки высокой чистоты с высокой скоростью роста. Благодаря оптимизированной микроволновой и плазменной конструкции реактор SSDR150 представляет собой прочное и надежное в работе оборудование, идеально адаптированное к потребностям научно-исследовательских лабораторий. Его легко чистить и менять конфигурацию камер, что делает SSDR150 наиболее пригодным для легирования алмазных пленок.

Особенности и преимущества установки MW-PACVD Plassys SSDR 150

  • Плазма высокой плотности;
  • Высокое рабочее давление, до 300 мбар или более;
  • Микроволновый генератор 6 кВт (опционально-импульсный источник);
  • Четыре газовые линии (дополнительные линии по запросу);
  • Держатель подложки 2" (50 мм);
  • Автоматическое выравнивание высоты держателя подложки во время выращивания (опция);
  • Легкая загрузка/выгрузка подложки;
  • Бихроматический ИК-пирометр (475 – 1475 °C);
  • Турбомолекулярный насос + сухой форвакуумный насос;
  • Базовое давление в реакторе: 5×10-7 мбар;
  • Полностью автоматизированный процесс;
  • Низкие эксплуатационные расходы.

Выращивание алмаза MW-PACVD

  • CVD алмазы для применения в электронике (CVD – химическое газофазное осаждение);
  • Высокие скорости роста;
  • Легирование азотом или бором;
  • Выращивание монокристаллов (для электронной и ювелирной промышленности) и поликристаллов;
  • Источник СВЧ 2.45 ГГц– 6 кВт.

Производительность реактора SSDR150

Поликристаллические алмазы

  • Отсутствие азотных включений в фотолюминесцентном анализе при температуре жидкого азота.

Монокристаллический алмаз

  • Отсутствие азотных дефектов в фотолюминесцентном анализе при температуре жидкого азота;
  • Низкая концентрация примесного азота [NS0]≤1 ppb (измерено методом электронного парамагнитного резонанса EPR);
  • Параметр FWHM (анг. full width at half maximum – полная ширина/половина от максимума) линии комбинационного («Романовского») рассеивания алмаза 1332 см-1 : 1,6 см-1;
  • Отсутствие поглощения инфракрасного излучения от 4000 до 10000 см-1;
  • Скорость роста до 10 мкм/час, в зависимости от условий роста.
Спектр поглощения алмазаПараметр FWHM рамановской линии алмаза
Статьи о методике выращивания алмазов с помощью системы MW-PACVD

Популярные статьи от престижных учреждений, которые применяют системы MW-PACVD для выращивания алмазов:

  • Микроволновая инженерия реакторов плазмо-химического газофазного осажденния (plasma-assisted CVD) для осаждения алмазов. Ссылка
  • Выращивание алмазных монокристаллов больших размеров с помощью плазмо-химического газофазного осаждения: последние достижения и текущие проблемы. Ссылка https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1631070512001429.
  • Двумерные периодические структуры «обратный» опал в монокристаллическом алмазе с встроенными оптическими дефектами кремния. Ссылка https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925963516302795.
  • Теплопроводность (TC) отдельно стоящих CVD-алмазных пленок, при выращивании как со стороны основания, так и со стороны роста алмаза. Ссылка https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925963516302746
  • Тонкие большие вертикальные алмазные диоды с барьером Шоттки с низким сопротивлением, выполненные методом ионно-лучевого напыления. Ссылка https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925963516306422.

Рабочее давление: до 300 мбар или более
Микроволновый генератор: 6 кВт (импульсный режим источника)
Газовые линии : 4, дополнительно по запросу
Держатель подложки : 2"
Бихроматический ИК-пирометр: 475 – 1475 °C
Базовое давление в реакторе: 5×10-7 Мбар