
- Детальное описание
- Тех.характеристики
- Оплата и доставка
Электронно-лучевой литограф CABL-9000C Crestec
Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи. Совмещает в себе высокое разрешение и высокую пропускную способность при 50 kV.
Основные технические характеристики электронно-лучевого литографа
- Диаметр электронного пучка: <2 нм
- Минимальная ширина линии: 10 нм
- Ускоряющее напряжение: 50 kV, 30 kV
- Размер стола: для 8”, 6”, 4” пластин
Особенности электронно-лучевого литографа
- TFE источник 50kV
- Высокое разрешение как при 100kV
-
Высокая точность сшивки в течении длительного времени благодаря специальным лазерным интерферометрам
- Многопользовательская среда (PC controlled EOC = Recipe)
- Саморегулируемая среда – термически стабильная и шумозащищенная
- Гибкие методы литографии (вектор, вектор R-theta, растр, точка, осевая симметрия, модуляция по размеру поля, многорежимность, 3D)
- CE маркировка
Спецификация на электронно-лучевой литограф
Источник электронов/ускоряющее напряжение |
TFE(ZrO/W)/5~50kV |
Мин. диаметр электронного пучка/ мин. ширина линии |
2 нм/ 10 нм гарантированно |
Метод сканирования |
Векторное сканирование(x,y),Векторное сканирование(r,θ)- в базовой комплектации Растровое сканирование, Точечное сканирование - опционально |
Расширенные литографические функции (опционально) |
Модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией |
Размер поля |
30 мкм2,60 мкм2,120 мкм2,300 мкм2,600 мкм2- в базовой комплектации |
Количество пикселей |
20,000×20,000 точек,60,000×60,000 точек - в базовой комплектации
240,000×240,000 точек (Векторное сканирование) - опционально |
Минимальный адресный размер |
10 нм@600 мкм2,2 нм@120 мкм2 - в базовой комплектации |
Размер подложки |
4”, 6”, 8” диаметром |
Точность сшивки |
50 нм(3σ)- 600 мкм2,20 нм(2σ) - 60 мкм2 |
Точность перекрытия |
50 нм(3σ) - 600 мкм2 |
CAD ПО |
Выделенный CAD в базовой комплектации,GDSконвертер - опционально, |
Операционная система |
Windows |
Диаметр пучка: | <2 нм |
Минимальная ширина линии: | 10 нм |
Ускоряющее напряжение: | 50 кВ, 30 кВ |