Name: CABL-9000C Crestec (50 кВ) - установка электронной литографии
Brand: CRESTEC
Availability: InStock

Производитель:

CRESTEC

Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи.

Задать вопрос

Цена с НДС:

По запросу

Доставка по всей России бесплатно

Подробнее о доставке здесь

Детальное описание
Тех.характеристики
Оплата и доставка

Электронно-лучевой литограф CABL-9000C Crestec

Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи. Совмещает в себе высокое разрешение и высокую пропускную способность при 50 kV.

Основные технические характеристики электронно-лучевого литографа

Диаметр электронного пучка: <2 нм
Минимальная ширина линии: 10 нм
Ускоряющее напряжение: 50 kV, 30 kV
Размер стола: для 8”, 6”, 4” пластин

Особенности электронно-лучевого литографа

TFE источник 50kV
Высокое разрешение как при 100kV
Высокая точность сшивки в течении длительного времени благодаря специальным лазерным интерферометрам
Многопользовательская среда (PC controlled EOC = Recipe)
Саморегулируемая среда – термически стабильная и шумозащищенная
Гибкие методы литографии (вектор, вектор R-theta, растр, точка, осевая симметрия, модуляция по размеру поля, многорежимность, 3D)
CE маркировка

Спецификация на электронно-лучевой литограф

Источник электронов/ускоряющее напряжение	TFE（ZrO／W）／5～50kV
Мин. диаметр электронного пучка/ мин. ширина линии	2 нм／ 10 нм гарантированно
Метод сканирования	Векторное сканирование（x，y），Векторное сканирование（r，θ）- в базовой комплектации Растровое сканирование, Точечное сканирование - опционально
Расширенные литографические функции (опционально)	Модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией
Размер поля	30 мкм²，60 мкм²，120 мкм²，300 мкм²，600 мкм²- в базовой комплектации 1200 мкм²，2400 мкм² - опционально
Количество пикселей	20,000×20,000 точек，60,000×60,000 точек - в базовой комплектации 240,000×240,000 точек (Векторное сканирование) - опционально 4,000×4,000 точек, 10,000×10,000 точек (Растровое сканирование) - опционально
Минимальный адресный размер	10 нм＠600 мкм²，2 нм＠120 мкм² - в базовой комплектации 0.0012 нм＠600 мкм² – опционально (FSM)
Размер подложки	4”, 6”, 8” диаметром
Точность сшивки	50 нм（3σ）- 600 мкм²，20 нм（2σ） - 60 мкм²
Точность перекрытия	50 нм（3σ） - 600 мкм²
CAD ПО	Выделенный CAD в базовой комплектации，GDSконвертер - опционально， DXF конвертер - опционально
Операционная система	Windows

Диаметр пучка:	<2 нм
Минимальная ширина линии:	10 нм
Ускоряющее напряжение:	50 кВ, 30 кВ