Соединяя науку и технологии office@sernia.ru
пн-пт 10:00 – 19:00
сб-вс выходные
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Установка ALD P-300F Picosun для производства ИС

Цена: По запросу
Производитель: Picosun Flag
Установка PICOSUN™ P-300F ALD специально разработана для производства интегральных микросхем, таких как микропроцессоры, запоминающие устройства и жёсткие диски, а также для производства силовой электроники и MEMS-устройств, таких как печатающие головки, датчики и микрофоны.
Скачать документацию Задать вопрос
  • Описание
  • Характеристики
  • Документация

Установки атомно-слоевого осаждения PICOSUN™

Установка P-300F Picosun разработана для промышленного применения современных технологий ALD.

ALD, atomic layer deposition (атомно-слоевое осаждение, АСО) — это химический метод нанесения сверхтонких плёнок из газовой фазы. Рост плёнок осуществляется за счет последовательного нанесения атомных слоев, обеспечивая точный контроль толщины плёнки и ее химический состав.

На сегодняшний день технология ALD (АСО) является наиболее перспективной, так как позволяет наносить сверхтонкие покрытия практически на любые типы поверхностей.

Установка атомно-слоевого осаждения PICOSUN™ P-300F ALD для изготовления ИС

Установка атомно-слоевого осаждения P-300F специально разработана для производства интегральных микросхем, таких как микропроцессоры, запоминающие устройства и жёсткие диски, а также для производства силовой электроники и MEMS-устройств, таких как печатающие головки, датчики и микрофоны.

Особенности и преимущества установок ALD P-300F Picosun

Установка АСО PICOSUN™ P-300F — это новейшие технологии промышленного применения ALD. Установка разработана для автоматической обработки кассет с пластинами и может использоваться вместе со стандартными вакуумными кластерными платформами для отдельных пластин.

Что касается качества, ALD P-300F Picosun сертифицирована в соответствии с требованиями SEMI S2/S8. Данная установка может быть интегрирована в систему автоматизации предприятия на базе протокола SECS/GEM.

Нанесенные с помощью установки ALD P-300F Picosun пленки отличаются высочайшей однородностью, отсутствием примесных частиц, удовлетворяя самым строгим требованиям качества, выдвигаемых современной полупроводниковой промышленностью.

Технические особенности PICOSUN™ P-300F ALD

Наименование характеристики
  Описание
 
Типичный размер и тип подложки

- 200 мм пластины в партиях до 50 шт.;
- 150 мм пластины в партиях до 50 шт.;
- 100 мм пластины в партиях до 50 шт.;
- Образцы с высоким аспектным соотношением сторон (до 1:2500);
- Субстратные материалы: Si, стекло, кварц, SiC, GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP

 
Температура тех.процессов

50 – 300°

Производительность

До 1000 пластин / 24 ч @ 15 нм толщине Al2O3

Тех.процессы

Серийное производство доступно с периодом цикла до однозначных секунд;
Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, и металлы;
До <1% 1σ неравномерность в партии (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 точек, 5мм EE)

Загрузка субстрата

- Полностью автоматическая загрузка с помощью инструмента вакуумного кластера в сочетании с функцией вертикального сдвига;
- Кассета для кассетной загрузки через систему вакуумного кластера Picoplatform; 
- Дополнительная станция SMIF.

 
Прекурсоры

- Жидкие, твёрдые, газообразные, озоновые;
- Датчики уровня, очистка и пополнение;
- До 12 источников с 6 отдельными входами.




Размеры и тип пластин: Пластины 100/150/200 мм в кассетах до 50 шт.; образцы с большим аспектным отношением; материалы подложки: Si, стекло, кварц, SiC, GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
Температура обработки: 50 – 300°C
Технологические процессы: Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2 и металлы
Загрузка подложки: Автоматическая загрузка с помощью вакуумного кластерного инструмента с возможностью вертикального переворота; загрузка партии из кассеты в кассету с помощью вакуумной кластерной системы Picoplatform™ 200; дополнительная станция SMIF
Прекурсоры: Жидкостные, твердые вещества, газ, озон; до 12 источников с 6 отдельными вводами
Похожие товары
Обратите внимание на похожие модели и аналоги, как альтернативу вашему выбору.