Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Проведение анализа отказов и контроля качества микроэлектронных компонентов

Исследование топологии поверхности в 3D с профилированием в оптическом режиме:

Отличительной особенностью цифрового оптического микроскопа VHX5000 Keyence является конструкция его объективов, обеспечивающих увеличение от 0,1 до 5000x, наличие высокочувствительной камеры (54 млн.пикселей 3ССD), а также возможность с высокой скоростью обрабатывать графические изображения.

Такая конструкция микроскопа обеспечивает большую глубину резкости, высокое разрешение и высокий контраст получаемых изображений в сравнении с изображениями, полученными при помощи традиционных оптических микроскопов.

Дополнительным преимуществом микроскопа VHX5000 Keyence, является также возможность быстро производить количественную и качественную оценку топологию поверхности. Пример карты распределения высот представлен на рис.2.

Если Вам необходимо произвести исследования материалов методом оптической микроскопии, то мы с радостью выполним для Вас эти работы. Расценки на проведение работ Вы можете узнать, связавшись с нами по тел. +7 495 204 13 17 или по e-mail: dv@sernia.ru.

Keyence VHX5000.jpg

рис. 1. Проведение исследований на цифровом оптическом микроскопе Keyence VHX-5000

      

    микроскоп Keyence VHX-5000.png

    Рис.2 Карта распределения высот, полученная при помощи цифрового микроскопа Keyence VHX-5000


  1. Исследование топологии поверхности при помощи СЭМ/ФИП:

  2. Исследования на электронно-ионном микроскопе-s.jpg Проведение исследований на СЭМ/ФИП







    Изображение, полученное на системе с фокусированным ионным пучком (ФИП)

    1.png
    Рис.1 EPROM
    2.png
    Рис.2 ПЛИС

  3. Создание кросс-секций и изготовление ламелей методом электронно-ионной микроскопии для исследования внутренней структуры компонентов:

  4. 3.png 3-1.png 4.png

    Рис.3 Изготовление ламели

    Рис.4 Перенос ламели на сеточку

    5.png
    Рис. 5. Пример исследования кросс-секции: поперечное сечение микросхемы ПЛИС, содержащей 9 слоёв коммутации 


  5. Элементный и химический анализ методом EDX
  6. Карта распределения элементов по образцу, полученная при помощи энергодисперсионного детектора (рис. 6-10).

    6.png
    Рис. 6. 
    Технологический слой платины (Pt), осажденный при разметке исследуемой области.
    7.png
    Рис. 7. 
    Области диэлектрической изоляции (SiO2) на основе кремния (Si), кремниевая подложка.
    8.png
    Рис. 8. 
    Кислород в составе двуокиси кремния (О2).

     
    9.png
    Рис. 9. 
    Алюминиевая токопроводящая коммутация(Al).
    10.png
    Рис. 10. 
    Диффузионные барьерные слои на основе титана (Ti).

     

    EDX-анализ образца при сканировании электронным пучком в точке

    11.png
    Рис.11. Спектр рентгеновского излучения.

    12.png
    Рис.12. Результаты вещественного анализа в точке