Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Minilock-Phantom III Trion - установка плазмохимического травления для производства

Minilock-Phantom III Trion - установка плазмохимического травления для производства
Цена: По запросу
Производитель: Trion Technology Flag
Небольшая установка плазмохимического травления c вакуумным шлюзом промышленного назначения. Установка может использоваться для любых процессов плазмохимического травления с использованием фторных газов и кислорода.
  • Описание
  • Документация

Minilock-Phantom III Trion - установка плазмохимического травления (RIE; RIE+ICP)

Система плазмохимического травления Minilock-Phantom III Trion с вакуумным шлюзом предназначена для сложных химических процессов, включая травление материалов с использованием агрессивных веществ. Система поддерживает в вида травления: реактивно-ионное травление и травление с помощью индуктивно-связанной плазмы.

Реактивное ионное травление (RIE)

RIE (Reactive Ion Etch — реактивное ионное травление) — технология травления, используемая в микроэлектронике. Химически активная плазма используется для удаления материала с подложки. Плазма создаётся при низком давлении при помощи газового разряда. Поступающие из плазмы ионы ускоряются за счёт разности потенциалов между ней и подложкой. Совместное действие химических реакций, ионного распыления и ионной активации приводит к разрушению материала подложки, образованию летучих соединений и десорбции их с поверхности.

Травление с помощью идуктивно-связанной плазмы

ICP (inductively coupled plasma — индуктивно-связанная плазма) — плазма, образующаяся внутри разрядной камеры или иного плазменного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля. ICP зажигается и поддерживается за счёт циклических индуцированных вихрей электрического тока свободных электронов (и ионов) в плазме. Для возбуждения ICP обычно используется переменное электромагнитное поле на частоте 1 – 100 мгц.

Вакуумный шлюз

Особенностью данной системы является наличие вакуумного шлюза. Вакуумный шлюз обеспечивает безопасность при работе с химикатами.Помимо этого, он предотвращает разгерметизацию камеры и значительно сокращает рабочие процессы. Разработанная система отвечает всем международным нормам безопасности. Для данной системы опционально доступен ICP (индуктивно-связанная плазма) реактор.

Особенности и преимущества Minilock-Phantom III Trion:

  • травление опасными, токсичными и самовоспламеняющимися газами (Cl2,BCl3, SiCl4, HBr)
  • ICP реактор высокой мощности
  • автоматическая продувка системы
  • простота управления системой
  • вакуумный шлюз для предотвращения разгерметизации камеры
  • безопасность при работе с агрессивными химикатами
  • аналог Bosch процесса глубокого травления

Технические характеристики

Вакуумная система
Вакуумные режимы:
Рабочий вакуум, мТор

50 – 300 для травления (дополнительно режим низкого вакуума)
Особенности вакуумной системы Система с форвакуумным и турбомолекулярным насосом
Откачка загрузочного люка механическим насосом
Источники питания
Рабочая частота RF генератора, мГц 13.56 МГц
Мощность RIE источника, Вт 600 (опционально 1250)
Мощность ICP источника, Вт 600 (опционально 1250)
Точность согласования импеданса, %
5
Держатель
Электростатический охлаждаемый столик Диаметр до 300 мм
Детекторы
Intellemetrics LEP 400, лазерный детектор глубины травления Метод контроля: интерферометрический
Точность при скорости 100 нм/мин, частота измерений 5 Гц:+/- 0.17 нм
Оптический спектрометр Характеристики зависят от модели
Система управления
Компьютер на базе Intel Pentium Сенсорный экран
Программа управления разработана Трион Технолоджи
Охлаждение и нагрев системы
Охлаждение установки
Чиллер Polyscience 6700 SERIES, 2,35 кВ
температурный диапазон -10°С до 40°С
Температурный контроллер
Thermo Scientific, AC200-A40, температурный диапазон -20 до 150 ºC (достаточно для травления меди). Другой диапазон температур по запросу (в режиме осаждения до 400 ºC).
Охлаждение предметного столика Охлаждение сжатым гелием

Требования к подаче технологических газов

Пользователь должен обеспечить подачу технологических газов к системе в соответствии с требованиями ТБ РФ.  Количество газов: определяется технологическими процессами.  Давление в линии: 1-3 атм. Трубопровод: стальная трубка для чистых газов с электрополировкой. Тип соединения: VCR.