Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Oracle III Trion - установка для осаждения тонких пленок или плазмохимического травления

Oracle III Trion - установка для осаждения тонких пленок или плазмохимического травления
Цена: По запросу
Производитель: Trion Technology Flag
Oracle III — кластерная система плазмохимического травления и осаждения пленок, диэлектриков (RIE; RIE+ICP; PECVD) промышленного назначения
  • Описание
  • Документация

Описание установки для осаждения пленок и/или плазмохимического травления Oracle III Trion

Oracle III Trion - установка осаждения тонких пленок, диэлектриков и/или плазмохимического травления для промышленного назначения.

Отличительные черты системы Oracle III - ее малые размеры и широкий функционал. Oracle III имеет центральный робот для транспорта пластин (CTV) и вакуумный кассетный загрузчик. Имеется возможность подключения до четырех реакторов. Реакторные модули пристыковываются к центральной транспортной системе и работают как в производственном режиме, так и в качестве отдельных реакторов. Система Oracle III может комплектоваться загрузочной системой для одной подложки и для кассетной загрузки.

Благодаря своей модульности Oracle III является наиболее гибкой по сравнению со своими аналогами на рынке, и может использоваться как на производстве, так и в лаборатории.

Технологические процессы

Система поддерживает следующие технологические процессы:

  • RIE (Reactive Ion Etch — реактивное ионное травление) — технология травления, используемая в микроэлектронике. Химически активная плазма используется для удаления материала с подложки. Плазма создаётся при низком давлении при помощи газового разряда. Поступающие из плазмы ионы ускоряются за счёт разности потенциалов между ней и подложкой. Совместное действие химических реакций, ионного распыления и ионной активации приводит к разрушению материала подложки, образованию летучих соединений и десорбции их с поверхности.

  • ICP (inductively coupled plasma — индуктивно-связанная плазма) — плазма, образующаяся внутри разрядной камеры или иного плазменного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля. ICP зажигается и поддерживается за счёт циклических индуцированных вихрей электрического тока свободных электронов (и ионов) в плазме. Для возбуждения ICP обычно используется переменное электромагнитное поле на частоте 1 – 100 мгц.

  • PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition - плазмохимическое осаждение из газовой фазы.

В одном цикле можно комбинировать процессы травления хлорных и фторных газов (RIE/ICP) и осаждения (PECVD) без загрязнения реакторов и газовой системы.

Опции:

  • Температурный контроль - путем регулирования температуры, можно значительно ускорить плазмохимическую реакцию, получить стабильную воспроизводимость и хорошее удаление побочных продуктов реакции.

  • Детектор конечной точки травления (End-Point detector) — плазмохимические системы Trion могут комплектоваться оптическим спектрометром или лазерным интерферометром для определения конечной точки травления. Управление обоими типами детекторов интегрировано в ПО систем травления.

  • Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP-источник) — для любой системы доступна опция с реактором высокоплотной индуктивно-связанной плазмы. При использовании данного типа реактора значительно снижаются радиационные повреждения и возможные загрязнения при реактивном ионном травлении (RIE). К тому же повышается селективность травления, появляется возможность использовать более низкое давление в реакторе, увеличивается анизотропия (аспектное соотношение) и уменьшается внутреннее напряжение в микроструктурах.

  • Электростатический прижимной столик — поддержание невысокой температуры часто играет важную роль в процессах. Электростатический прижимной столик кроме электростатического прижима обеспечивает проток гелия с обратной стороны подложки, что значительно повышает теплообмен.

Требования к подаче технологических газов

Пользователь должен обеспечить подачу технологических газов к системе в соответствии с требованиями ТБ РФ.  Количество газов: определяется технологическими процессами.  Давление в линии: 1-3 атм. Трубопровод: стальная трубка для чистых газов с электрополировкой. Тип соединения: VCR.