Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Установка атомно-слоевого осаждения P-300 F Picosun для производства ИС

Установка атомно-слоевого осаждения P-300 F Picosun для производства ИС
Цена: По запросу
Производитель: Picosun Flag
P-300 F — атомно-слоевое осаждение для производства ИС
  • Описание
  • Документация

Установка атомно-слоевого осаждения PICOSUN™ P-300F ALD для изготовления ИС

Атомно-слоевое осаждение, АСО (аtomic layer deposition) — химический метод нанесения сверхтонких плёнок из газовой фазы. Рост плёнок осуществляется за счет последовательного нанесения атомных слоев, обеспечивая точный контроль толщины плёнки и её химического состава. На сегодняшний день технология ALD (АСО) является наиболее перспективной, так как позволяет наносить сверхтонкие покрытия практически на любые типы поверхностей.

Р-серия является полностью автоматизированным вакуумным кластером, совместимым с производственными линиями, и гарантирует максимальную рентабельную производительность. Нанесенные пленки отличаются высочайшей однородностью, отсутствием примесных частиц, удовлетворяя самым строгим требованиям качества, выдвигаемых современной полупроводниковой промышленностью.

Новая установка PICOSUN™ P-300F ALD специально разработана для производства интегральных микросхем, таких как микропроцессоры, запоминающие устройства и жёсткие диски, а также для производства силовой электроники и MEMS-устройств, таких как печатающие головки, датчики и микрофоны.

Технические особенности PICOSUN™ P-300F ALD

Типичный размер и тип подложки

  • 200 мм пластины в партиях до 50 шт
  • 150 мм пластины в партиях до 50 шт
  • 100 мм пластины в партиях до 50 шт
  • Образцы с высоким соотношением сторон (до 1:2500)
  • Субстратные материалы: Si, стекло, кварц, SiC, GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP

Температура и производительность

  • 50 – 300 °C
  • До 1000 пластин / 24 ч @ 15 нм толщине Al2O3

Типичные процессы

  • Серийное производство доступно с периодом цикла до однозначных секунд
  • Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, и металлы
  • До <1% 1σ неравномерность в партии (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 точек, 5мм EE)

Загрузка субстрата

  • Полностью автоматическая загрузка с помощью инструмента вакуумного кластера в сочетании с функцией вертикального сдвига
  • Кассета для кассетной загрузки через систему вакуумного кластера PicoplatformTM
  • Дополнительная станция SMIF

Прекурсоры

  • Жидкие, твёрдые, газообразные, озоновые
  • Датчики уровня, очистка и пополнение
  • До 12 источников с 6 отдельными входами