Метод: ионно-лучевое послойное травление Размеры образца (кросс-секционирование): от 3*3*0,7 мм до 10*10*4,0 мм Размеры образца (планарная обработка): диам. 32 мм*В 25 мм
Настольная прецизионная система подготовки высококачественных образцов для СЭМ для широкого спектра применений.
Метод: ионно-лучевое послойное травление Размеры образца (кросс-секционирование): от 3*3*0,7 мм до 10*10*4,0 мм Размеры образца (планарная обработка): диам. 50 мм*В 25 мм
Настольная прецизионная система подготовки высококачественных образцов для СЭМ.
Область обработки 50 мм.
Три ионных источника.
Метод: ионно-лучевое послойное травление Размер пластины: до 300 мм Размер ионного пучка: до 2 мм
Автоматизированная система ионно-лучевого послойного травления на полупроводниковых пластинах (до 300 мм) для подготовки образцов к CD-SEM (Critical dimensions SEM, контроль критических размеров в сканирующем электронном микросокопе).
Метод: ионное утонение Размер ионного пучка: менее 1 мкм Диапазон напряжений: от 50 эВ до 2 кВ
Прецизионная система подготовки образцов для ПЭМ методом ионного утонения с диаметром пучка менее 1 мкм, низкоэнергетическим источником ионов инертного газа и колонной СЭМ.
Оборудование: для модели 110 Размеры (мм): 25 x 64 x 28
Устройство перфорирования позволяет создавать высококачественные образцы дисковой формы из тонкой металлической фольги путем механического воздействия.
Механическое утонение образца для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Значительно сокращает время, затраченное на процесс финальной подготовки с помощью систем ионно-лучевой полировки.
Метод: для ПЭМ (TEM) Утонение: от 10 микрон до 10 мм
Быстрое перфорирование образцов для ПЭМ из твердых или хрупких материалов без механического или термического повреждения. Создание образцов дисковой, цилиндрической и прямоугольной формы.
Метод: для кросс-секционной ПЭМ (XTEM) Диаметр итогового образца: до 3 мм
Полноценный набор для выравнивания поверхностей и выполнения точного поперечного сечения для ПЭМ. Производит образцы с постоянной толщиной клеевого слоя
Процессы: плоская шлифовка/шлифовка ямок/финальная полировка до степени электронной прозрачности Управление скоростью шлифовки: Автоматическое Контроль усилия шлифования: Микрометр Совместимость: модель 160
Простой в использовании, современный механический инструмент утонения, предназначенный для выполнения высококачественной подготовки образцов к электронной микроскопии.
Размер образца (диам./толщ.): 3 мм/до 250 мкм Разрешение: 0,34 нм Дрейф: < 1,5 нм/минуту Угол наклона (max): ±80° Поле обзора: до 1,6 мм при 70° Материал наконечника: Бериллий
Оптимальное решение для получения трехмерной информации о структуре и элементном составе образца.
Размер образца (диам./толщ.): 3 мм/до 100 мкм Разрешение: 0,34 нм Дрейф: < 1,5 нм/минуту Угол наклона (max): до ±70° Поле обзора: до 950 мкм при угле наклона 70°
Прецизионное вращение в одной плоскости внутри микроскопа.
Размер образца (диам./толщ.): 3 мм/до 100 мкм Разрешение: 0,34 нм Дрейф: < 1,5 нм/минуту Угол наклона (max): до ±70° Поле обзора: до 950 мкм при угле наклона 70°
Прецизионное планарное вращение внутри микроскопа.
Размер образца (картридж 1,8 мм): диам. до 1 мм/длина до 20 мм Размер образца (картридж 1,0 мм): образец цилиндр/конус Разрешение: 0,34 нм Дрейф: < 1,5 нм/минуту Угол наклона (max): Непрерывное и пошаговое (3 шага по 120°) вращение на угол 360°
Инновационный держатель образцов, имеющих форму стержня или конуса.
