Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

CABL-9000C Crestec (50 кВ) - установка электронной литографии

CABL-9000C Crestec (50 кВ) - установка электронной литографии
Цена: По запросу
Производитель: CRESTEC Flag
Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи.
  • Описание
  • Характеристики

Электронно-лучевой литограф CABL-9000C Crestec

Является лучшей моделью для производства DFD лазерных диодов для оптических устройств связи. Совмещает в себе высокое разрешение и высокую пропускную способность при 50 kV.

Основные технические характеристики электронно-лучевого литографа

  • Диаметр электронного пучка: <2 нм
  • Минимальная ширина линии: 10 нм
  • Ускоряющее напряжение: 50 kV, 30 kV
  • Размер стола: для 8”, 6”, 4” пластин

Особенности электронно-лучевого литографа

  • TFE источник 50kV
  • Высокое разрешение как при 100kV
  • Высокая точность сшивки в течении длительного времени благодаря специальным лазерным интерферометрам

  • Многопользовательская среда (PC controlled EOC = Recipe)
  • Саморегулируемая среда – термически стабильная и шумозащищенная
  • Гибкие методы литографии (вектор, вектор R-theta, растр, точка, осевая симметрия, модуляция по размеру поля, многорежимность, 3D)
  • CE маркировка

Спецификация на электронно-лучевой литограф

Источник электронов/ускоряющее напряжение

TFE(ZrO/W)/5~50kV

Мин. диаметр электронного пучка/ мин. ширина линии

2 нм/ 10 нм гарантированно

Метод сканирования

Векторное сканирование(x,y),Векторное сканирование(r,θ)- в базовой комплектации

Растровое сканирование, Точечное сканирование - опционально

Расширенные литографические функции (опционально)

Модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией

Размер поля

30 мкм2,60 мкм2,120 мкм2,300 мкм2,600 мкм2- в базовой комплектации
1200 мкм2,2400 мкм2 - опционально

Количество пикселей

20,000×20,000 точек,60,000×60,000 точек - в базовой комплектации

240,000×240,000 точек (Векторное сканирование) - опционально
4,000×4,000 точек, 10,000×10,000 точек (Растровое сканирование) - опционально

Минимальный адресный размер

10 нм@600 мкм2,2 нм@120 мкм2 - в базовой комплектации
0.0012 нм@600 мкм2 – опционально (FSM)

Размер подложки

4”, 6”, 8” диаметром

Точность сшивки

50 нм(3σ)- 600 мкм2,20 нм(2σ) - 60 мкм2

Точность перекрытия

50 нм(3σ) - 600 мкм2

CAD ПО

Выделенный CAD в базовой комплектации,GDSконвертер - опционально,
DXF конвертер - опционально

Операционная система

Windows

Диаметр пучка: <2 нм
Минимальная ширина линии: 10 нм
Ускоряющее напряжение: 50 кВ, 30 кВ