Соединяя
науку и технологии office@sernia.ru
+7 (495) 204-13-17
8 (800) 301-13-17

Установки электронной литографии

Выбрать Производителя
Выбрать Отрасль
Количество на странице:
20

Электронно-лучевая литография

Метод электронно-лучевой литографии (electron beam lithography, EBM, ЭЛЛ) основан на использовании электронных пучков для экспонирования резистивных пленок. При взаимодействии такого пучка с резистом разрываются межатомные связи, что приводит к перестройке молекулярной структуры резиста и изменению его свойств, в частности, изменению растворимости.

Принципы формирования электронного пучка в системах электронной пучковой литографии (EBL) аналогичны сканирующему электронному микроскопу (SEM), где электронный пучок фокусируется в пятно на образце с помощью электромагнитных линз с аксиальной симметрией и сканируется в необходимой области для получения изображения.

В системах электронно-лучевой литографии важными являются: высокоточное позиционирование образца за счет контроля его положения с применением лазерной интерферометрии, система измерения размеров пятна, измерение тока с помощью цилиндра Фарадея, снабженного интегратором, способным измерять пикоамперные токи для нормализации дозы, высокоскоростная система сброса пучка во время перемещения образца, специализированное программное обеспечение для управления сканированием пучком в соответствии с цифровым шаблоном, подготовленным с использованием одной из CAD программ.

Сканирующие электронно-лучевые системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты, связанные с дисторсией (искривление изображения из-за различия линейного увеличения для разных его частей) и расширением пучка, и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.

Преимущества электронно-лучевой литографии

Непосредственное нанесение рисунка с помощью ЭВМ позволяет обойтись без шаблона. Поэтому электронно-лучевые сканирующие системы могут быть использованы как для изготовления шаблонов, так и для непосредственной прорисовки на пластине. Эти установки имеют высокое пространственное разрешение и точность совмещения, приближающиеся к 0,1 мкм. По сравнению с фото- и рентгенолитографией, электронолитография обладает более высоким разрешением. Это обусловлено меньшей длиной волны излучения.

Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) для изготовления шаблонов имеет явные преимущества даже в тех случаях, когда для совмещения шаблона с подложкой и экспонирования резиста применяется способ фотолитографии. ЭЛЛ обеспечивает превосходное разрешение линий оригинала, давая возможность улучшить качество шаблона. Время, которое уходит на кодирование чертежа шаблона в цифровой вид и последующее его изготовление под управлением ЭВМ, значительно меньше времени, которое требуется для процесса фотоуменьшения. Дополнительным преимуществом является то, что при изменении чертежа достаточно просто модифицировать программу для ЭВМ.

Возможности применения электронно-лучевой техники в производстве микросхем весьма широки. Ограничения на ширину линий и плотность упаковки определяются не столько работой электронного пучка, сколько разрешающей способностью резиста и возможной точностью совмещения шаблона с пластиной.

Crestec - производитель установок электронно-лучевой литографии

logo crestec.pngCrestec - это японская компания, которая занята в сфере производства установок электронно-лучевой литографии с 1995 года. Основная миссия компании Crestec - это разработка инновационных методов электронно-лучевой литографии и обеспечение потребностей клиента с использованием новейших методов в этой области.

Компания предлагает выгодные по цене электронно-лучевые литографические системы, которые отличаются высокой производительностью и высокой прецизионностью в работе, создавая структуры на наноуровне. Литографические системы CRESTEC находят применение в следующих отраслях:

  • Плазмоника (прототипирование с разрешением до 10 нм);
  • Нанофотоника;
  • Нанобиология;
  • Полупроводниковые лазеры;
  • Транзисторы с высокой подвижностью электронов.